2009年4月14日 - 全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)與LSI 公司(NYSE: LSI)達成的協議，進一步擴充專用積體電路(ASIC)系列。這協議讓安森美半導體的客戶能夠通過設在美國俄勒岡州Gresham的安森美半導體晶圓製造廠，獲得成熟及高成本效益的110奈米(nm)製程技術，及相關的經過矽驗證的智財(IP)。

這110 nm“系統平臺”SP110為客戶提供高密度、高性能的技術，並比類似技術將一次性工程 (NRE)成本減至最低，且將上市時間縮至最短。SP110最高的工作頻率為450兆赫(MHz)， IP陣容豐富，能夠滿足90 nm或更小的奈米製程技術的眾多性能和功能要求，省卻這些技術的開發成本及製程經常費用。此外，SP110提供比某些主流130 nm技術更好的性能及更低的功耗。

SP110結合製程優勢、豐富的IP選擇及技術支援，滿足通訊、消費、工業及醫療等市場的客戶需求。SP110方案非常適合軍事及航空應用，充分發揮基於美國的設計和製造優勢，端到端地符合國際武器貿易規章(ITAR)要求。SP110還會遵從QML和AS9100等專門的軍事/航空品質標準。

安森美半導體總裁兼CEO傑克信(Keith Jackson)說：「我們的這項SP110投資，足證我們不斷致力於拓展ASIC業務。我們還計劃將這技術用於需要更高數位電路成份及性能、同時將功耗降至最低的未來專用標準產品(ASSP)和標準產品平臺。」

根據與LSI達成的協議條款，安森美半導體將提供廣泛的IP系列，包括支援PCI Express、十億位元乙太網(GbE)和10 Gbps連接單元介面(XAUI)等介面標準的串列解串器(SerDes)方案。SP110客戶還將能夠利用安森美半導體其他經過矽驗證、可綜合的IP陣容，包括用於USB 2.0、乙太網媒體訪問控制器(MAC)、微控制器、時序產生器和DDR 1/2/3記憶體控制器等的IP模組。

SP110利用低K銅(Cu)互連技術，提供達9個金屬層，包括2個重分佈層(RDL)。這技術支援 1.2伏特(V)的內核電壓及1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V的輸入/輸出(I/O)電壓。安森美半導體提供SP110的網表及寄存器傳輸級(RTL)交遞(handoff)方法，確保為設計人員提供最大的靈活性。

安森美半導體數位及混合訊號產品部資深副總裁Bob Klosterboer說：「這令人振奮的新平臺使我們能夠提供前所未有獨特的相關製程組合優勢，如在岸(on-shore)生產和110 nm ASIC性能，配以寬廣的IP，使安森美半導體更好地服務我們現有的客戶及拓展至新的定制IC市場。」

LSI定制方案部資深副總裁兼總經理Sudhakar Sabada說：「我們非常高興與安森美半導體合作，拓展我們強固、經過矽驗證的110 nm製程技術和IP。雙方攜手下，安森美半導體能為他們的客戶提供吸引的設計平臺，應用於不同的方案。」

更多有關安森美半導體ASIC方案的資訊，請瀏覽www.onsemi.com或聯繫Vince Hopkin(電郵：vince.hopkin@onsemi.com)。

關於安森美半導體(ON Semiconductor)
安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)擁有跨越全球的物流網路和強大的產品系列，是電源、汽車、通訊、電腦、消費產品、醫療、工業、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高效能矽方案供應商。公司廣泛的產品系列包括電源、類比、數位訊號處理器(DSP)、混合訊號、先進邏輯、時脈管理、非揮發性記憶體和標準元件。公司的全球總部位於美國亞利桑那州鳳凰城，並在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場營運包括製造廠、銷售辦事處和設計中心的業務網路。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導體網站：www.onsemi.com。

- 新聞稿有效日期，至2009/05/13為止

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