KLA-Tencor 光罩及光掩模檢測部副總裁暨總經理 Harold Lehon 表示：「在 32 奈米技術中，對於以多種模式檢測光罩缺陷的需求逐漸增加。有了 KLA-Tencor 的 TeraScan HR 系統及其最新的 WPI 功能，光罩製造商及晶片製造商不但能夠尋找所有關鍵缺陷，還能清楚區分哪些光罩缺陷可能被轉移至晶圓的印刷電路上。有了 TeraScanHR 獨一無二的技術，製造商將能夠在光罩檢測和晶圓廠良率間建立具成本效益的直接連結。」

採用業界標準的 TeraScanHR 光罩檢測平台，其先進的軟體演算法與影像計算技術提供使用者三個不同平面的影像：光罩平面 (reticle plane)、虛像平面 (aerial plane) 及晶圓平面 (wafer plane)。WPI 獨一無二的建模演算法還能在關鍵光罩區域自動增加系統靈敏度，降低晶片良率的缺陷經常出現在這些區域。經由多個 KLA-Tencor 客戶的實地測試證實，相較於需要較小像素的傳統檢測，WPI 可以在最先進製程節點中使用較大的檢測像素，降低光罩檢測時間最高達 40%，以提升擁有成本。

WPI 已被證實可滿足晶片製造商在關鍵 32 奈米技術中對缺陷靈敏度的需求，且 WPI 技術正和美國及台灣的領先晶片製造商聯合進行 beta 測試。配備 WPI 的系統目前已出貨給多家客戶。

關於 KLA-Tencor 的 WPI 技術曾於國際光學工程學會 (SPIE) 第十五屆國際光罩專題討論會／日本光罩大會上發表的技術論文中提及。該篇論文 (Wafer Plane Inspection (WPI) for Reticle Defects) 由英特爾公司及 KLA-Tencor 公司共同撰寫，文中介紹了在聯合開發計畫期間，對 WPI 檢測創新進行的評估。

該篇文章指出，光罩檢測的目標高度依賴於最終使用。
1. 對於光罩車間：
 尋找實際印刷或影響晶圓良率的缺陷。
 尋找不印刷但卻提供對光罩製程深刻洞察的缺陷，並縮短光罩開發週期。
2. 對於晶圓無塵室：
 提供可能限制良率之缺陷的早期檢測。
WPI 與高解析度檢測的結合滿足了上述所有三個目標。該篇文章的考察研究證明，「在許多測試中，90 奈米的檢測像素尺寸可以替代在常規模式下 72 奈米檢測像素 (高 NA 模式)。在 WPI 模式中 『移回 (migrate)』一個像素的能力 (即增加像素尺寸)，在不損失對關鍵缺陷靈敏度的前提下，可縮短光罩檢測時間約 40%。」

晶圓平面檢測 (WPI) 技術細節

高解析度光罩檢測技術能夠檢測到限制優良率的光罩缺陷，也能夠檢測出不直接限制良率的缺陷。

KLA-Tencor 的 WPI 檢測技術結合了 TeraScanHR 系統的超高靈敏度影像獲取技術，和具有超強計算能力的超級電腦，可以進行最新的計算光蝕演算法。具有高度計算能力的 WPI 技術利用來自光罩 (稱為「光罩或光罩平面」) 的透射、反射光圖形和缺陷資訊，來建立全面高解析度的光罩模型。計算光蝕技術運用此高解析度模型，將光罩圖案轉變為在晶圓上的最終印刷影像 (稱作 wafer plane)。WPI 的成功有賴於其能夠從 TeraScanHR 檢測系統獲取超高解析度的透射與反射光圖形，以精確的數學方法來重建最終的實際光罩圖案。WPI 技術還能讓光罩製造商篩檢出對光蝕有顯著影響的缺陷，忽略那些不影響光蝕的缺陷。

WPI 使用 KLA-Tencor 的 TeraScanHR 系統提供的透射、反射光產生的高解析度影像。依靠計算與演算法技術所取得的最新進步，可以產生如同在光罩上的精準圖案模型。透過光罩影像模型，在系統的超級電腦中對演算法進行處理，以判斷如何根據使用者定義的光蝕條件在實際晶圓上印刷光罩圖案。這會降低對非印刷缺陷的靈敏度，同時在通常有大量印刷缺陷的「危險」區域展現更高的靈敏度。篩檢出印刷缺陷，並且讓檢測系統不被過多的光罩製造工藝缺陷所淹沒，將缺陷檢測靈敏度集中於關鍵區域是非常有效的作法。

1) 光罩圖形 (pattern) 還原是晶圓平面檢測程序中的第一步。一種新的計算光蝕演算法將來自檢測系統的透射與反射光影像轉換為實際光罩圖案的模型表示，包括光罩上的圖形缺陷 (pattern defects)。這個關鍵的第一步要求使用高解析度透射與反射光影像來對高精度的光罩圖案建立模型。光罩還原是最關鍵的步驟，讓 WPI 能夠產生高度精準的結果。

2) 中間步驟 — 虛像 (aerial image) 建模 —使用 193 奈米掃描曝光機的成像程序模型，把上一步還原的光罩圖案生成如同光罩在空氣中的「虛 (aerial)」像。這種獨特的建模方法在生成虛像過程中可高度控制並具有靈活性，包括使用任意光源，或實際測量的掃描曝光機的光源光照模型，而不僅僅是理想化的光照模型。

3) 晶圓平面建模與缺陷檢測 — 透過計算光阻在哪裡曝光，虛像會被轉換為光阻或「晶圓」平面影像。當系統在晶圓平面或光阻平面上建立完整光罩影像後，由於幾何圖形的缺陷訊號與晶圓 CD 誤差之間只有在光阻平面上是線性關係，所以缺陷檢測便在光阻 (晶圓) 平面上進行。為了實現缺陷檢測計算，一種新的演算法將光罩的透射與反射光影像精準轉換，表示為如同其在晶圓上出現的影像。由於曝光時間和焦距參數可以靈活地進行離線調整，單獨一次檢測掃描即可得到跨越許多不同焦點與曝光點的檢測結果。

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關於 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導體製造及相關產業提供產能管理和製程控制解決方案的全球領先企業。該公司總部設在美國加州的聖荷西市，銷售及服務網遍佈全球。KLA-Tencor 躋身於標準普爾 500 強公司之一，並在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多資訊，請參觀網站 http://www.kla-tencor.com。

- 新聞稿有效日期，至2008/06/01為止

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