IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉換器設計
帶來更高效能和電流密度全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時把閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) 減至最少，並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。 IR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝，新的30V元件擁有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd，為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A，同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特點是擁有極低的RDS(on)，使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積，所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時，能輕易由舊元件邁向使用新元件。 IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd，則讓這些元件非常適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇，使設計可以更具靈活性。 產品基本規格如下：
元件
編號 BVDSS
(V) 在10V下典型RDS(on) (mOhms) 在4.5V下典型RDS(on) (mOhms) 典型QG (nC) 典型QGD
(nC) DirectFET 外型代碼
IRF6721S 30 5.1 8.5 11 3.7 SQ
IRF6722S 30 4.7 8.0 11 4.1 ST
IRF6722M 30 4.7 8.0 11 4.3 MP
IRF6724M 30 1.9 2.7 33 10 MX
IRF6725M 30 1.7 2.4 36 11 MX
IRF6726M 30 1.3 1.9 51 16 MT
IRF6727M 30 1.2 1.8 49 16 MX 產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html。 新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。 關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
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Cindyhi.wang@erapr.com 美商國際整流器台灣分公司
總經理 朱文義
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- 新聞稿有效日期，至2008/06/27為止
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