KLA-Tencor 疊對量測部副總裁暨總經理 Ofer Greenberger 表示：「32 奈米設計的疊對預算已被拉到極限，尤其是採用雙次成圖技術，晶片製造商希望能同時提升疊對系統的精準度與速度。在廣為人知的光學成像技術上，Archer 200 系統進一步提升了效能優勢，可滿足 32 奈米光蝕控制各層要求。有許多強化的功能，已經採用 Archer 的廣大用戶可以直接進行升級，將投資報酬極大化。透過與主要光蝕供應商的緊密合作，我們提升了高階疊對的控制技術，協助晶片製造商在執行雙次成圖時，達到更進階的掃描曝光機校正與監控。」

KLA-Tencor 持續投注於先進成像技術，推動自身產品線的疊對技術不斷前進，研發工程師在 Archer 200 系統的核心光學設計上獲得重大的突破。相較於上一代的 Archer 系統，這些研發成果讓機台的一致性提升超過 50% ，產能也增加了 25%。其中，機台間的一致性是疊對量測中一項關鍵的衡量標準，因為不同的系統必須達到幾乎完全相同的層對準。這個強化的光學系統還搭載了重新設計的光路，能夠通過更多的光，因而測量更快，產能也隨之提高。新的相機管理演算法，能夠加速系統運作、降低雜訊，進一步提升產能和精準度。

32 奈米設計規格節點為疊對量測帶來了兩項獨特挑戰：更高的晶片密度及光蝕雙次成圖。為了克服這兩項挑戰，客戶必須增加疊對取樣，更有效率地運用先進疊對目標。Archer 200 讓晶片製造商能夠使用符合業界標準的 AIM™ 目標，或者是更小的「微 AIM」(µAIM™) 目標，可以被置入晶片內部的不同位置。這種強化的疊對目標性能，足以最大化掃描曝光機對準，進而最大化設備產能。

客戶還可以選擇在 Archer 200 上增加 KLA-Tencor 先進的散射測量技術，在達到特定 32 奈米以下的線寬測量要求中，擁有更大的靈活性。Archer 200 系統提供了一個配備先進散射疊對 (SCOL™) 測量功能的模組作為選項，它可以實現次奈米級的總度量誤差 (TMU)，讓有興趣的客戶能夠採用 SCOL 技術，而無需多個專屬系統。

Archer 200 系統已被多家晶片製造商採納，運用於邏輯晶圓廠和記憶體晶圓廠的45奈米生產及32研發，包括美國、歐洲及韓國等地區。

Archer 200 技術概要

雙次成圖光蝕 (DPL) 需要更多成圖步驟，並進行更多的疊對測量步驟以便多次曝光。隨著日益縮小的設計規格，DPL 在測量機台所容許的疊對量測預算中，協助降低了步驟的功能性。

光學系統重新設計
Archer 200 新的光學系統在成像效能上顯著提昇，也增加產能，因此整個板上的規格更加嚴格。

 使用具備先進分析能力的 AIM 目標技術及 µAIM 目標以應對 32 奈米節點的挑戰，實現雙次成圖所需的高階疊對控制和多層測量
 縮減 20% 的「移動 - 獲取 - 測量」(Move-Acquire-Measure，MAM) 所需時間至0.6秒，提高產能
 提升總度量誤差 (TMU) 上的規範嚴格度達 25% 以上 (1.0 奈米)
 提高機台一致性 30-50%
 改善機台系統誤差 (TIS) 20% (0.8 奈米)
 增強測量的可重複性

高階疊對控制獲得改善

32 奈米世代光蝕中的雙次成圖不僅需要更高階非線性製模，還需要更佳的區域級 (field-level) 與柵格級 (grid-level) 掃描曝光機對準及效能。近期的資料顯示，由線性轉變至更高階的模型後，疊對控制可獲得顯著改善。與僅有高階柵格校正相比，高階柵格與區域級校正可顯著改善測量擁有成本。

散射疊對測量 (SCOL) 技術
標準光學成像技術在性能及總度量誤差方面具有相當高的效能；然而，以 SCOL 為基礎的技術補足典型的量測技術的不足，並減輕了先進製程中可能發生的潛在風險。但是，由於以散射測量和以成像為基礎的技術均具備優異性能，因此途徑的選擇應根據個案決定。光學成像與 SCOL 的結合是一種獨一無二的低風險組態，具有極佳精準度且符合 AIM 目標。

 結合光學成像和 SCOL 能帶來最佳的投資報酬率和擁有成本，有最高產能、保持記錄程序 (POR) 的現有目標、縮短開發週期
 提供無需專屬工具即可測量所有層的靈活性
 提供已安裝的現有客戶升級途徑
 可延伸至結合疊對與 OCD 量測的次世代產品

- 新聞稿有效日期，至2008/07/09為止

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