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台北—香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣布推出兩款新消費性FCRAM記憶體晶片(*1)，為業界首顆可承受125°C高溫運作範圍的記憶體，並可支援DDR SDRAM介面。此兩款新FCRAM產品將從今天開始提供樣本，包括512Mbit規格的MB81EDS516545晶片產品、以及256Mbit規格的MB81EDS256545晶片產品。此系列低功耗消費性記憶體，可針對系統級封裝(System-in-package，SiP)進行最佳化，以支援包括數位電視與數位錄影機等數位消費性產品。 客戶將藉由採用此新款結合SiP組態系統單晶片(SoC)的FCRAM晶片，而增加許多競爭優勢，即使因為運作速度提高，SiP的溫度隨之升高，但整個元件仍可維持順利運作，而不會受到記憶體的影響或限制。此外，還可提供客戶如減少產品開發投入資源、縮小機板空間、以及減少元件數量等方面的優勢。 現今的數位消費性產品不斷要求更高效能、更快速度、以及更低成本。為滿足這些方面的需求，越來越多業者開始運用結合SoC記憶體晶片的SiP產品。採用SiP能減少必要的元件數量，並減少機板空間，進而協助降低系統成本。SiP亦可簡化設計，像是開發高速記憶體介面，或是降低雜訊的措施。 直到目前為止，傳統記憶體在使用SiP時所面臨的許多限制，在採用新型FCRAM產品後都能一一解決。圖1(a)顯示一個SiP組態，其中高效能SoC的功耗佔了很大的比例，而運作後產生的熱量將使SiP溫度高達攝氏105度。此款SoC的最高耐熱溫度為攝氏125度，因此能完全正常運作，但採用傳統記憶體卻僅能耐熱至攝氏95度，所以無法使用這種SiP組態。
想採用SiP封裝規格來運用此類傳統記憶體，另一種選擇就是加裝像散熱片等散熱裝置。如圖1(b)所示，此種設計能把SiP溫度降到90°C，讓系統能順利運作，但卻會增加成本與體積。因此，許多一直在評估是否要採用SiP規格的客戶，都希望記憶體能支援更大的運作溫度範圍。 富士通微電子為因應這些需求，已著手開發這些最高運作溫度達125°C的512 Mbit與256Mbit消費性FCRAM產品。如圖1(c)所示，採用可耐熱125°C的FCRAM，即使SoC消耗極高的電力，SiP仍能正常運作，且不必加裝散熱片。如此即可解決因採用耐熱95°C的傳統記憶體時，需要增加散熱措施而導致成本提高的問題。 此外，即使在125°C的運作溫度下，這些FCRAM產品的資料傳輸率還可達到傳統DDR SDRAM記憶體的兩倍，並且還能壓低功耗。事實上，新款512 Mbit FCRAM的功耗僅需傳統DDR2 SDRAM記憶體的50%。因此，這些新款FCRAM能讓數位消費性產品內建的記憶體，減少50%的二氧化碳排放量（詳細資料請參考附件二）。 富士通微電子將繼續開發能以SiP規格供應所需效能與功能的各種產品，並能為客戶在數位消費性產品設計方面，提供具備最佳化價值與成本的各種解決方案。 價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。 主要特性
1. 業界首款可耐熱125°C的記憶體
這些新款FCRAM最高運作溫度可達125°C，相較於傳統SDRAM記憶體的最高耐熱溫度為85°C 或95°C，已大幅提高系統內所需的功耗強度。所以業者即可開發出像是高功耗SoC這種以往不可能實現的SiP解決方案，有許多高效能數位消費性電子產品即需要此類元件，以往若再加上記憶體就可能會有過熱的問題。此外，它也允許業者使用不需要高耐熱規格的低成本封裝。 2. 低功耗效能
藉由把匯流排寬度擴大到64位元，加上降低運作頻率，且不需要終端電阻(*2)，能讓這些新款FCRAM比兩顆傳統16位元匯流排寬度的DDR2 SDRAM記憶體晶片，最高可減少50%耗電量。新款FCRAM能讓各種數位消費性產品內建記憶體減少50%的二氧化碳排放量。 3. 高資料頻寬
在125°C的運作溫度下，加上64位元匯流排寬度與最高達200MHz的運作頻率，讓這些新款FCRAM能提供每秒3.2 Gbytes的資料傳輸率，是傳統DDR2 SDRAM記憶體的2倍。而在105°C以下的運作溫度，加上216 MHz的運作頻率，資料傳輸率將可提高到每秒3.46Gbyte。
注釋
*1. 消費性FCRAM: FCRAM(快速循環隨機存取記憶體)是富士通微電子的專利RAM核心架構，具備高速與低功耗的特性。消費級FCRAM核心擁有業界標準的低功耗SDRAM介面，並可針對數位消費性產品的使用模式進行最佳化。
*2. 終端電阻:電阻連結至電路線或訊號的終端。它們可用來避免訊號反射所產生的干擾，但也會消耗可觀的電力。在DDR2 SDRAM方面，終端電阻已嵌入在晶片中(可稱為ODT:晶片上終端電阻) 價格與上市時程
富士通預計於2009年5月19日開始提供型號為MB81EDS516545的512Mbit FCRAM晶片樣品，及型號為MB81EDS256545的256Mbit FCRAM晶片樣品。預計可達到每月100萬顆的銷售目標。 相關網站:
富士通微電子FCRAM產品介紹網頁： http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/ # # # 有關詳細公司資訊請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fmc/tw網站。 富士通微電子（上海）有限公司
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