IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR憑著在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷的努力，繼續在業界發揮光芒，透過把我們新一代矽技術與PQFN封裝技術結合，推出性能超卓的新MOSFET系列，帶來領先業界的(RDS(on))。此外，我們將按產品發展路徑，在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營，來回應客戶的訴求。」

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用，例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且閘電荷 (Qg) 僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。

如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。

所有這些新元件都具備低溫度電阻 (0.5°C/W)，兼且達到第一級濕度感應度 (MSL1) 業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF產品規格
元件編號 封裝 電壓 最大Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25
IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±12V 1.2 mOhm 1.4 mOhm 100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格
元件編號 封裝 電壓 Rdson max @ Vgs=10 Rdson max @ Vgs=4.5 Qg typ @ Vgs=4.5 Id @ Tc=25
IRFH5250TRPbF PQFN 5x6mm 25 V 1.15 mOhm 1.7 mOhm 52 nC 100 A
IRFH5300TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.4 mOhm 2.1 mOhm 50 nC 100 A
IRFH5301TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.85 mOhm 2.9 mOhm 37 nC 100 A
IRFH5302TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 2.1 mOhm 3.5 mOhm 29 nC 100 A

有關產品現正接受批量訂單。這些新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站www.irf.com。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

新聞聯絡人：
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Fax: +1-310-726-8303
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香港商世紀奧美公關顧問股份有限公司
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Fax: (02) 2577-1600
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- 新聞稿有效日期，至2010/04/11為止

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