NexFET Power Block 除提高效率與功率密度外，還能以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流，可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局 (pinout) 與接地導線架 (grounded lead frame) 可明顯縮短開發時間，改善整體電路效能。此外，NexFET Power Block 還能以低成本實現與 GaN 等其他半導體技術相當的效能。
CSD86350Q5D Power Block 的主要特性與優勢 • 5 mm x 6 mm SON 尺寸僅為兩個 5 mm x 6 mm QFN 封裝的獨立式 MOSFET 裝置的 50%； • 可在 25 A 的負載電流下，達到超過 90% 的電源效率，與業界相同規格的 MOSFET 相比，效率高出 2%，功率損耗降低 20 %； • 與相同規格的解決方案相比，無須增加功率損耗便可提高 2 倍頻率； • 底部採用裸露接地焊墊的 SON 封裝可簡化佈局。
供貨與價格 採用 5 mm x 6 mm SON 封裝的 NexFET Power Block 裝置現已開始大量供貨，可向 TI 及其授權經銷商訂購。CSD86350Q5D 每千顆單位建議零售價格為 1.75 美元。樣品與評估模組也已開始供應。
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