TI 類比封裝部門 Matt Romig 指出,為實現寬頻行動影音與 4G 通訊等豐富內容,運算應用的效能需求不斷提升,網通與運算設備的小型化需求也同時湧現。PowerStack 實現了 2D 到 3D 的革命性整合,充分滿足了 TI 客戶的需求。 PowerStackTM 技術的優勢在於創新的封裝方法:在接地引線架上堆疊 TI NexFETTM 功率 MOSFET,並採用兩個銅製彈片 (copper clips) 連接輸入及輸出電壓接腳。這種堆疊與彈片焊接的獨特組合,可完成更高度整合的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。 透過 PowerStack 技術堆疊 MOSFET,最明顯的優勢是使封裝尺寸較其它並排排列 MOSFET 的解決方案銳減 50%。除減少電路板空間之外,PowerStackTM 封裝技術還提供電源管理元件優異的散熱功能、更高的電流效能與效率。PowerStackTM的詳細優勢,請參見網頁:ti.com/powerstack。
技術顧問公司 TechSearch International創辦人兼總裁 Jan Vardaman 表示,PowerStack 是目前在電源市場上首屈一指、功能強大的封裝技術,3D 封裝解決方案的成長動力不斷增強,此技術將是解決各種當前及新一代設計挑戰的理想選擇。 PowerStack 現已在 TI 位於菲律賓的 Clark 廠投入量產。 TI 菲律賓分公司執行總監 Bing Viera 指出,Clark 是 TI位於菲律賓、業界一流的最新封測廠。今年TI將進一步提升 Clark 進階封裝技術的產能,到第三季時該廠將初級產能提高近一倍。 TI 製造技術詳細資訊,請參見網頁:www.ti.com/powerstack-pr-mfg。 TI 透過領先封裝技術推進類比發展 PowerStack 封裝技術再次凸顯 TI 在封裝領域的創新,在更低成本下,實現更高功率密度、可靠性以及效能的應用,達成更進一步的技術突破。TI 累積數十年的封裝專業技術經驗,可為成千上萬種多元化產品、封裝配置與技術提供支援,為類比市場提供最豐富的封裝組合。TI 領先封裝技術詳細資訊,請參見網頁:www.ti.com/powerstack-pr-pkg。 TI NexFET 功率 MOSFET 技術 TI NexFET 功率 MOSFET 技術可提高高功率運算、網路、伺服器系統以及電源應用能源效率。高效類比功率 MOSFET 為系統設計人員提供最先進的 DC/DC 電源轉換解決方案。 TI NexFET™ Power Block :www.ti.com/powerblock-pr。 透過 Plurk 與 TI 即時互動:http://www.plurk.com/TITW 透過 Twitter與 TI 即時互動:http://twitter.com/TXInstrumentsTW - 新聞稿有效日期,至2011/09/04為止
聯絡人 :Bernice 聯絡電話:77187777 電子郵件:bernice@apexpr.com.tw
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