安森美半導體推出業界最低電容的瞬態電壓抑制器 三款新元件為高速資料線路提供低鉗位元電壓、最佳信號完整性的ESD保護 Sept. 19, 2011 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出最新的高速資料線路用瞬態電壓抑制器(TVS)。這三款新元件——ESD7008、MG2040及ESD7104為高速資料及視頻線路,以業界最低電容、最高訊號完整性及低鉗位元電壓提供靜電放電(ESD)保護。
安森美半導體保護產品分部副總裁兼總經理Gary Straker說:「隨著消費類及電腦產品採用頻寬更高的新介面,低電容及低鉗位元電壓是確保穩定操作的關鍵。這些新元件的性能不僅領先業界,且節省空間成本,並簡化設計而減少工程設計失敗,為工程師提供了極佳的ESD保護方案選擇。」
ESD7008的設計旨在保護達4個高速差分對(8條線路),提供業界領先的ESD保護能力,以節省空間的封裝設計提供僅為0.12皮法(pF)的極低輸入/輸出(I/O)至地電容。這新元件以穿越型(flow-through) UDFN18封裝來組裝,配合簡單的印製電路板(PCB)佈線及匹配的走線長度以維持高速線路阻抗的一致性。ESD7008提供領先業界的低電容確保超快介面能提供高訊號完整性。它的新興應用包括USB 3.0、V-by-One™及Thunderbolt (Light Peak),其中在USB 3.0應用中提供全集成方案,保護3個高速對及電源(Vcc)和識別(Iden)線路。ESD7008其他普及應用中也證明為極佳保護方案,包括HDMI™、DisplayPort及低壓差分信令(LVDS)。 MG2040瞬態電壓抑制器的設計專門提供完整功能的整合ESD保護方案,保護多達14條線路,涵蓋HDMI及Display介面的所有工作引腳。典型值0.35 pF(I/O至GND)的超低電容、穿越型封裝設計及低ESD鉗位元電壓使MG2040非常適合保護對電壓敏感的高速資料線路。MG2040在以單元件替代須使用多顆元件的應用,因而節省成本及電容板空間,同時提升性能。 安森美半導體推出的第三款新瞬態電壓抑制器是ESD7104。這元件採用極節省空間的UDFN10封裝,配合簡單佈線及匹配的高速差分線路之間的走線長度,用於USB 3.0、HDMI、Esata 3.0及DisplayPort等應用。ESD7104為多達4條線路提供低電容ESD保護,提供典型值0.3 pF的典型I/O至GND電容。 安森美半導體這三款新的瞬態電壓抑制器的工作結溫範圍為-55 ºC至+125 ºC。它們提供15千伏(kV)接觸及空氣放電保護,更勝IEC61000-4-2 (level 4)保護要求。這些元件每10,000片批量的單價在0.15美元至0.30美元。 關於安森美半導體 安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)是應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰,既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.cn。 # # #
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