以下一些參考設計和實例電路從多方面體現了安森美半導體電源配置的特色。

1) 用於310 W ATX電源的單晶片CCM PFC+LLC解決方案：採用NCP1910高性能CCM PFC+ LLC組合(Combo)控制器，符合80 PLUS®金級能效規範；整合了ON/OFF和電源正常(Power OK)訊號操作，符合ATX12V規範；易於配置啟動和關閉時序，以滿足保持時間和掉電警告要求。

2) 240 W一體式(All-in-One)PC電源：用於高能效一體式PC電源的12 V、20 A開關電源(SMPS)採用NCP1605控制頻率鉗位功率因數校正前端，NCP1397提供半橋諧振LLC控制，NCP4303提供次級端同步整流。

3) 300 W超薄液晶電視電源參考設計：是一款電路板高度僅為8 mm的超薄液晶電視電源設計，使用NCP1631進行交錯式頻率鉗位臨界導電功率因數校正，NCP1053A整合開關穩壓器提供低能耗待機狀態(關閉模式下Pin 25 mW)；高能效NCP1379准諧振返馳式轉換器為訊號處理和音訊放大器供電。

4) 65 W AC-DC筆記型電腦電源適配器：是一款用於筆記型電腦電源適配器的19V、3.4A返馳式設計；它採用NCP1236固定頻率PWM返馳式控制器，具有整合的高電壓啟動、欠壓保護和過功率保護功能；其平均能效 87％，符合能源之星2.0標準，空載輸入功率100 mW。

5) 60 W准諧振電源適配器：19 V准諧振電源適配器可用於筆記型電腦電源適配器；它採用NCP1380准諧振返馳式控制器，具有穀底鎖定(valley lockout)功能，可防止輕載時的變壓器可聽雜訊；平均能效 87％，符合能源之星2.0標準，空載輸入功率100 mW。

6) 48 W通用輸入印表機電源適配器：用於印表機的24V返馳式電源適配器可提供30 W穩態和48 W瞬態能力，待機模式能耗7.25 V/70 mA；採用NCP1219電流模式返馳式控制器，具有動態自供電功能，是一個高性價比的低元件數量設計。

7) 40W AC-DC電源適配器：是一款緊湊、高性能的12V、3.3A返馳式電源適配器；它採用高度整合小型TSOP-6封裝NCP1250固定頻率返馳式控制器，平均能效 87％，在低輸入電壓條件下的空載輸入功率為33 mW。

8) 22 W離線順向轉換器電源：這是一款12 V、最大2 A(22 W連續功率)離線電源，採用NCP1028單片開關穩壓器；簡單緊湊的設計可實現低EMI和高能效，可用於白家電、電錶、低能耗通信設備。

全面的高能效控制器及離散元件組合
除了上述電源參考設計，安森美半導體還提供全方位的電源半導體元件，從高度整合的功率因數控制器、AC-DC控制器、DC-DC控制器到離散式MOSFET、整流器、二極體和電晶體等。

1) 功率因數控制器：包括NCP1605、NCP1607、NCP1608、NCP1631、NCP1651、NCP1652、NCP1653和NCP1654等。全面的產品組合支援各種PFC拓撲結構，包括8引腳連續導電模式(CCM) PFC控制器、8引腳臨界導通模式(CrM) PFC控制器、整合CrM和固定頻率不連續導電模式(DCM)的PFC控制器、單段返馳式PFC控制器，以及2相交錯式PFC控制器等。

表1：安森美半導體各種拓撲結構的高能效PFC控制器概覽

2) 次級端控制器：NCP4303可實現CCM、DCM和QR返馳式應用的同步整流控制、精確的真正次級端零電流檢測(帶可調節閾值)，還有自動寄生電感補償輸入。

3) AC-DC控制器和穩壓器：豐富的多功能組合支援固定頻率和可變頻率；不同拓撲結構，從傳統返馳到採用順向有源鉗位的半橋諧振；廣泛的性價比選擇，從高性價比的元件到高度整合的控制器和穩壓器；嵌入的創新功能便於符合更嚴格的能效要求，如頻率反走(frequency foldback)、軟跳週期(Soft-Skip™)模式；諸多功能可減少電磁干擾(EMI)訊號，有助於符合安全標準。

4) DC-DC控制器和穩壓器：從0.5 A至10 A範圍的整合開關穩壓器，有各種拓撲結構選擇，包括降壓、升壓、降壓/升壓和反相；寬輸入電壓範圍高達200V，PWM控制器能夠驅動高達30 A電流。

5) 線性穩壓器：壓降低至40 mV，輸出電流範圍從80mA至3 A，電源抑制比高達90 dB，超快速瞬態回應不到1 μs，2.5 μA的超低靜態電流(Iq)和接地電流(Ignd)。

6) 各種電源轉換MOSFET：這類功率元件可以分為幾類，如低導電損耗、低RDS(on)的ORing MOSFET，其IM匯流排ORing為30 V，48 V匯流排ORing為100 V；隔離式拓撲結構DC-DC(磚式) MOSFET，提供低導電損耗的低RDS(on)，整合了低損耗肖特基二極體，耐熱增強型SO-8 FL適用於需要散熱的應用；非隔離式拓撲結構降壓DC-DCMOSFET，除具有低傳導損耗的低RDS(on) 特點，還整合了提高輕載效率的肖特基二極體，耐熱增強型SO-8 FL封裝適用於需要散熱的應用。

7) MOSFET驅動器：這些元件提供兩個輸出，可驅動高電壓功率MOSFET和IGBT，適合多種拓撲結構（如半橋、非對稱半橋、有源鉗位元、全橋），電壓範圍高達600 V，dV/dt免疫力為±50 V/ns，與行業標準引腳對引腳相容。

8) 基於溝道的肖特基二極體：這類元件具有低Vf及高工作溫度能力的特點，有助於提高能效。

9) 電壓基準：精確的基準電壓從0.9 V至2.5 V，嚴格的電壓容限為0.4％至3％，輸出電壓範圍高達36 V；此外，還具有低動態阻抗、低雜訊和穩定運行的特點，豐富的封裝包括表面貼裝和通孔。

全方位電源優勢
安森美半導體利用其豐富的電源專長、解決方案和產品，説明設計人員快速提高系統能效。這些產品和解決方案可節省能耗，提供高性價比的電源，以滿足不斷變化的全球能效標準。高能效電源配置能説明客戶完成提高其產品能效的挑戰，如低待機模式能耗、高工作模式能效和功率因數校正。

安森美半導體在全球擁有廣泛的設計和應用資源網路，現場應用工程師以客戶為中心的支援，説明客戶優化電源設計。

- 新聞稿有效日期，至2011/11/17為止

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