台灣— 11月29日— Diodes公司推出12V微型P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助於提升電池效率和減少電路板空間，並滿足空間受限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機和平板電腦等。

這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝，並具有極低的導通電阻 (RDS(on)) ，能把傳導損耗降至最低，以延長電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導通電阻只有29mΩ，比最接近的競爭對手產品的導通電阻性能還要提升15%，有利於電源中斷及一般負載開關的應用。

DFN1616的標準離板高度為0.5毫米，比對手的產品薄20%，並只佔2.56平方毫米的PCB面積，比競爭對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節省55%的空間。

同時，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強保護。這款MOSFET的額定閘極保護為3kV，比同類產品高出50%，因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有很強的抵禦作用。

有關進一步產品資訊，可瀏覽www.diodes.com。

Diodes簡介
Diodes Incorporated為標普小型股600指數 (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數公司，活躍於全球離散、邏輯及類比半導體市場，致力製造及供應優質的特殊應用標準產品，服務消費性電子、電腦、通訊、工業及汽車等不同市場。Diodes的產品包括二極管、整流器、電晶體、MOSFET、保護設備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效應及溫度應傳感器，以及涵蓋LED驅動器、直流-直流切換和線性穩壓器、電壓參考的功率管理元件，以至USB電源開關、負載開關、電壓監控程式及馬達控制器等特殊功能元件。

Diodes公司總部、物流辦事處及美國業務辦事處位於美國德州普萊諾市，在普萊諾、聖荷西、台北、英國和德國設有設計、行銷及研發中心；在密蘇里州坎薩斯城及英國曼徹斯特設有晶圓製造廠；在上海設有兩所製造廠、在德國諾伊豪斯設有一所，另於成都設有合資廠房；在台北、香港及曼徹斯特設有研發、業務、倉庫及物流辦事處；並在世界各地設有業務與支援辦事處。

有關進一步的詳盡資訊，包括美國證監會存檔，可瀏覽該公司網站，網址為www.diodes.com。

- 新聞稿有效日期，至2011/12/29為止

上一篇：「澳門銀河(TM)」酒店開通「支付寶」
下一篇：PTC 擴展Windchill新功能