新聞稿

安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列 提供更高的開關能效
新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪湧電流處理能力，用於計算及消費應用

2011年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件採用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，説明設計工程師符合高能效標準規範要求，不會增加複雜度，例如無須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生「夾斷」(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度範圍內都很優異。

為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的資料顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：「我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。」

安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：
安森美半導體
器件型號 簡介 封裝 VF (V) @
IF =5 A及TJ=125°C

NTST30100SG
NTSB30100S-1G
30 A (30 A X 1) TO-220 AB
I2PAK 0.39
NTST30U100CTG
NTSB30U100CT-1G
NTST30U100CTH
30 A共陰極(15 A X 2)
(H-無鹵素) TO-220 AB
I2PAK
TO-220 AB
0.42
NTST30100CTG
NTSB30100CT-1G
NTST30100CTH
30 A共陰極(15 A X 2)
(H-無鹵素) TO-220 AB
I2PAK
TO-220 AB
0.45
NTST20100CTG
NTSB20100CT-1G

20 A共陰極(10 A X 2) TO-220 AB
I2PAK 0.5
NTST20U100CTG
NTSB20U100CT-1G

20 A共陰極(10 A X 2) TO-220 AB
I2PAK 0.5

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.cn。
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沈美娟
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安森美半導體
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daisy.sham@onsemi.com

- 新聞稿有效日期，至2012/01/14為止

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