LM5114 可透過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出驅動標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或並行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度 (pull-down strength) 還有助於該元件適當驅動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出不但省去對驅動器路徑中二極體的需求，而且還可對升降時間實現嚴密控制。

TI 也於 2 月 6 日至 8 日在美國佛羅里達州奧蘭多舉辦的應用電源電子產品大會暨展覽會 (APEC) 上展示此一可充分發揮 GaN FET 技術優勢的 FET 驅動器產品系列，包括 LM5114、採用最新 micro SMD 封裝的 LM5113、將於今年 3 月份推出的接腳相容型 4 A/8 A UCC27511 低側柵極驅動器以及其它產品。APEC 為電源電子專業人士的重要展會之一。

LM5114 低側柵極驅動器主要特性與優勢：
• 可優化升降時間的獨立源極與汲極輸出支援更高的效率；
• +4 V 至 +12.6 V 單電源支援各種應用；
• 0.23 Ω 的開汲極 (open-drain) 下拉汲極輸出可避免無意接通；
• 7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅動器電流可最大限度減少時間改變的電壓改變(DV/DT) 影響；
• 匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間 (dead time) 損耗；
• 12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支援高開關頻率；
• 高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
• -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。

- 新聞稿有效日期，至2012/03/08為止

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