安森美半導體推出高性能場截止型IGBT，用於高能效電源轉換
新的1,200 V器件為大功率電磁感應加熱及變頻器應用提供極優方案

德國紐倫堡Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) – 2012年5月9日 - 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結晶體管(IGBT)，目標應用為工業電機控制及消費類產品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用於高性能電源轉換方案，適合多種要求嚴格的應用，包括電磁爐、電鍋及其它廚房小家電應用。

能源價格不斷上升及圍繞碳排放的環保因素，持續帶動更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應及變頻器的應用。這些新的額定電壓1,200伏(V)的IGBT採用深溝槽技術及先進的晶圓薄化及加工處理技術，提供極低的關閉損耗，同時在導通期間維持低通態電壓，因而提供更低的開關損耗及導電損耗。這些器件提供15安培(A)、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復快速整流器組合封裝，符合客戶對高能效的嚴格要求，同時為他們提供高空間利用率的完整方案。

安森美半導體功率分立產品分部高級總監兼總經理John Trice說：「安森美半導體為汽車應用提供高性能及可靠的IGBT已超過十年，一直是市場上領先的供應商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我們在高壓溝槽型技術及晶圓工藝技術的智慧財產權及能力，同時為多種終端市場的客戶提供高品質及強固的方案，用於他們講究高能效的電源應用。」

封裝及價格
採用TO-247封裝的場截止型IGBT器件節省電路板空間，經過最佳化，提供極低的通態壓降和關閉開關損耗。NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG及NGTB25N120IHLWG電磁感應加熱專用IGBT每批量2,500片的單價分別為1.50、1.80及2.00美元。NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG及NGTB25N120LWG電機驅動專用IGBT每批量2,500片的單價分別為1.75、2.10及2.35美元。

PCIM – 安森美半導體展位 – 12號館，371號展臺 –
安森美半導體於5月8日至10日在PCIM現場展示電磁爐用功率模組及分立IGBT、高能效電機驅動及太陽能變頻器等產品，地點為德國紐倫堡展覽中心12號館371號展位。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.cn。
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