臺北2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- LSI公司(NYSE: LSI)宣佈本周在台灣舉行的2012年台北國際電腦展中，將針對其備受市場肯定的SandForce® SF-2000快閃記憶體處理器 (FSP)提供現場動態展示。該產品採用目前固態硬碟(SSD)應用市場中最先進的Toshiba 19奈米和Intel 20奈米NAND 快閃記憶體。

LSI SandForce FSP是專為NAND 快閃記憶體SSD設計的產品，提供頂尖的效能、可靠度、耐用性及省電效能。LSI推出這款產品後，不僅讓SSD製造商可推出更經濟的固態硬碟產品，並可為他們提供快速上市時程的優勢，而且可加速快閃記憶體儲存技術在雲端、企業和終端裝置應用市場之廣泛普及。IDC市場研究機構預估，就企業應用和終端裝置的應用領域而言，SSD的出貨量在2015年將超過1億，比2011年的出貨量成長56%。(註1)

Objective Analysis公司SSD分析師Jim Handy 表示：「相較於HDD，由於高成本的關係，阻礙了SSD在應用市場的發展。而且大部分SSD控制器無法管理最先進和最低成本的快閃記憶體晶片之複雜性。LSI可支援現今最小的NAND製程技術，將可協助OEM廠商及終端使用者在雲端、企業和終端裝用戶端之基礎和I/O密集型資料儲存應用之快閃記憶體部署。」

隨著快閃記憶體的尺寸不斷縮小，引進最先進的錯誤校正功能已成當務之急。由於獨立單元已很難維持一定的荷質比(specific charge)，往往導致降低快閃記憶體元件的可靠性、資料完整性和資料保全特性。為了改善19奈米和20奈米快閃記憶體儲存的效能及耐用度，LSI SandForce SF-2000 FSP可在512位元組磁區內校正多達55位元錯誤，因此也成為業界可同時支援企業和終端用戶端市場的處理器首選。儘管目前和未來先進的NAND快閃記憶體技術對錯誤校正功能的要求持續變化，而且不斷提升，但是LSI SandForce的錯誤校正引擎憑藉其獨特的設計完全可以因應這些挑戰。

LSI 公司副總裁暨快閃記憶體元件部門總經理Michael Raam 表示：「由於LSI與6家NAND快閃記憶體技術大廠保持密切合作，使我們能夠針對不斷縮小的晶片尺寸進行最佳化。SSD必須具備優異的可靠度、使用壽命和省電效能以滿足雲端企業和財富1000大企業的關鍵任務運算環境。我們的產品能滿足所有這些重要要求，更協助加速SSD技術的廣泛採用。」

為了滿足客戶對小尺寸快閃記憶體可靠度和耐用性的要求，LSI SandForce FSP 採用了DuraClass® 先進NAND快閃記憶體管理技術。

DuraClass管理特性包括：

DuraWrite™：為快閃記憶體的程式週期數量提供最佳化，以有效延長耐用性。
RAISE™ (Redundant Array of Independent Silicon Elements，獨立晶片冗餘陣列)技術：大幅提高硬碟的可靠性，進而可在單一硬碟的解決方案中提供媲美RAID等級的保護和復元功能。
先進的耗損平衡和監控技術：為耗損平衡演算法進行最佳化，進一步增強快閃記憶體的耐用性。
反覆循環器：提供智慧型「垃圾收集」作業清除無效的資料，將其對快閃記憶體耐用性的影響降至最低。
LSI展示間設於台北君悅大飯店1037和1038室，在台北國際電腦展期間提供現場技術展示。更多關於LSI SandForce FSP的相關資訊，請瀏覽：www.lsi.com/sandforce。

關於 LSI

LSI Corporation (NYSE：LSI)為創新晶片及軟體技術之領導供應商，協助提升資料中心和行動網路的儲存效能與網路速度。LSI發展的智慧型技術為強化應用效能的重要關鍵，並與合作夥伴合作，應用LSI技術共同開發解決方案。如欲獲得更多資訊，歡迎瀏覽公司網站：www.lsi.com。

註1: IDC, 「IDC WW SSD 2011-2015 Foreast Updte」, March 2012。

LSI與LSI商標設計以及SandForce, DuraClass, DuraWrite和RAISE均是LSI公司的商標或註冊商標。

所有其它品牌或產品名稱可能是其各自所有者的商標或註冊商標。

消息來源: LSI Corporation

- 新聞稿有效日期，至2012/07/06為止

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