工研院所即將發表之GaAs Based Long Wavelength Lasers技術，是與俄國Ioffe研究院合作研發完成，本發表會特邀Ioffe研究院院長暨俄羅斯科學院副院長，也是2000年諾貝爾物理獎得主艾費洛夫(Zh. I. Alferov)院士與光電所劉容生所長共同主持此成果發表會，會後並和工研院化工所共同舉行“奈米量子點技術CEO論壇”，邀請產業界一起探討技術趨勢，下午將與俄國Ioffe研究院合辦「台俄光電半導體技術研討會」。本次成果發表會中將發表光電所與Ioffe合作開發之以分子束磊晶法1.3μm InAs / GaAs量子點雷射、1.3μm InGaAsN / GaAs量子井雷射技術，及以有機金屬氣相磊晶法(MOCVD)成長1.3μm InGaAsN / GaAs量子井雷射， 該技術成果已超越國際水準。此技術製成之1.3μm VCSEL可廣泛應用於標準的單模及多膜光纖通訊元件，非常適合於區域及都會區之網路應用。是相當具有應用價值及潛力的關鍵性元件。
時 間：91年12月25日(星期三) 上午09:30 - 下午16:30
地 點：台北國際會議中心一樓102會議室
主辦單位：經濟部技術處
執行單位：工業技術研究院，俄羅斯Ioffe 研究院
協辦單位：台灣光通訊產業聯盟(TOCIA)/光電半導體工業技術發展諮詢委員會
詳細辦法詳見：http://www.oes.itri.org.tw/train.html
- 新聞稿有效日期，至2002/12/25 為止
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