功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC)宣佈推出第一款用於高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELM。SSR用於發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機,並且同時收集資訊,容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM元件的峰值為700W,工作頻率為1030MHz,並且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 (extended length message, ELM) 。新型電晶體建基於GaN on SiC 技術,這項技術特別適合高功率電子應用。 美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示:「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件,把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈,讓我們現在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC電晶體,用於二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品,將於今年稍後時間推出。」 美高森美即將推出的產品包括多個用於L,S和C波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體,並且提供一整套GaN微波功率元件,包括S波段雷達型款:2729GN-150,2729GN-270,2731GN-110M,2731GN-200M,3135GN-100M,3135GN-170M,2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品;涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達,以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。 關於1011GN-700ELM RF電晶體 1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:
• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD • 出色的輸出功率: 700W • 高功率增益: 21 dB最小值 • 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB • 洩極偏壓 - Vdd: +65V 使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括: • 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件 • 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成 • 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率 • 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求 • 極高穩健性,提高系統良率 • 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50% 封裝和供貨 1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。公司現在已向合格客戶借出演示單元,同時在公司網站www.microsemi.com上提供技術資料表。要瞭解更多的資訊,請發送電郵至sales.support@microsemi.com查詢。 關於美高森美公司 美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、航太,以及醫療與工業市場提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括混合訊號與RF積體電路、SoC與ASICS、可程式類比解決方案、電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案、離散元件,以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo,全球擁有約3000位員工。要了解詳情,請造訪其網站http://www.microsemi.com。 -完- 所有商標為美高森美公司財產,所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。 以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明:本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻性聲明」,這些「前瞻性聲明」可能涉及風險,不確定性和假設,而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括1011GN-700ELM RF 電晶體,以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中,下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異:技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體業界的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力,對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響,預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題,以及現有或預計半導體業界出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本,客戶的產品驗證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外,讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素,不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形,並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。 - 新聞稿有效日期,至2012/10/07為止
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