新聞稿

安森美半導體推出致能展頻時脈產生器IC，
用於降低可攜、消費及計算應用的電磁干擾

展頻時脈產生器節省電路板空間，符合EMI規範，無須昂貴耗時的重新設計

2012年11月12日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的致能展頻時脈產生器積體電路(IC)，管理時脈源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴於時脈的信號在系統範圍內降低EMI。

P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時脈產生器的目標應用為顯示卡、計算及消費等應用。此元件支援3.3 伏(V)輸入電壓，頻率範圍為18 MHz至36 MHz，通過外部電阻模擬控制展頻偏差。系統設計人員選擇該外部電阻之不同值在輸出提供所想要額度的展頻偏差，便能更靈活地定制應用，使在其應用中取得達致降低EMI的要求。P3P8203A採用8接腳、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封裝，非常適合用於印刷電路板(PCB)空間受限的應用。工作溫度範圍為0°C至+70°C。

P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低時脈產生器非常適合用於PCB空間受限的應用，如手機和平板電腦等可攜電池供電設備；在這些應用中， EMI/RFI可能是重大挑戰，而遵從EMI/RFIF規範是先決條件。這兩款通用新展頻型時脈產生器採用尺寸僅為1 mm x
1.2 mm x 0.8 mm的微型4接腳WDFN封裝，提供業界最小的獨立式致能方案，用於降低時脈源及源自時脈源的下行時脈和資料信號的EMI/RFI。P3MS650100H和P3MS650103H支援1.8 V至3.3 V的輸入電壓範圍，典型展頻偏差為0.45%至1.4%，減小15 MHz至60 MHz頻率範圍之時脈源的EMI/RFI。工作溫度範圍為-20ºC至+85ºC。

安森美半導體工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：「 符合EMI規範同時控制成本及儘量減少PCB占位面積，是可攜及計算應用的重大挑戰。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰，提供高性價比的方案，降低時脈源及源自時脈源的下行時脈和資料信號的EMI/RFI。設計工程師在設計週期及早應用這些元件，可無須採用其他方案，也無須加入高成本的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。」

封裝及價格
P3P8203A採用8接腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H採用4接腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.24美元。

Electronica 2012
歡迎蒞臨安森美半導體於11月13日至16日德國慕尼克 Electronica 2012的展臺(A5館225號展臺)，觀看P3P8203A及用於通信應用的其它電源、散熱和信號管理方案的演示。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。
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媒體聯繫:

沈美娟
亞太區傳訊
安森美半導體
(852) 2689-0156
daisy.sham@onsemi.com
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- 新聞稿有效日期，至2012/12/12為止

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