與矽(Si)材料相比，碳化矽(SiC)材料具有多項優勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率，這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的元件，包括零逆向恢復、不受溫度影響特性、較高電壓能力，以及較高工作溫度，從而達到新的性能、效率和可靠性水準。

除了SiC二極體元件固有的優勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片、背部可焊接D3 封裝SiC 蕭特基二極體的製造商，容許設計人員達到更高的功率密度和較低的製造成本。

美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示：「我們利用超過二十五年的功率半導體元件設計和製造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和整體品質水準的SiC二極體系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的運作頻率更高的和效率，而美高森美新的碳化矽元件能夠協助系統設計人員滿足這些需求。」

全新1200V SiC 蕭特基二極體產品陣容包括：

• APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)
• APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
• APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
• APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)
• APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)

美高森美新型SiC 蕭特基二極體現已在產，要瞭解更多的資訊或取得樣品，請聯絡當地分銷商或美高森美公司銷售代表。

關於美高森美公司

美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、以及航太與工業提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻元件，可程式邏輯元件(FPGA)、單晶片系統(SoC)與ASICS；電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案；離散元件；安全技術和可擴展反篡改產品；以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品；以及客製化設計能力與服務。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。

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所有商標為美高森美公司財產，所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的「安全規避」聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為「前瞻性聲明」，這些「前瞻性聲明」可能涉及風險，不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括採用碳化矽(SiC)材料和技術的全新1200 V 蕭特基二極體系列，以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中，下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異：技術的快速變化或產品停產;潛在成本上漲;客戶訂單偏好的改變;半導體業界的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力，對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件;正在進行中或已計劃的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響，預測未來需求的困難性;預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性;產品責任問題，以及現有或預計半導體業界出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素;保護專利及其它所有權的困難性和成本，客戶的產品驗證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外，讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素，不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形，並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期，至2012/12/21為止

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