這兩款新型IRF6668 80V和IRF6662 100V DirectFET MOSFET的匯編式通態電阻和閘電荷甚低，最適合用於高頻隔離式DC-DC匯流排轉換器的一次側電源開關。

IR台灣分公司總經理朱文義指出：「現今先進網路和通訊系統中的ASIC、NPU和FPGA，皆以隔離式DC-DC匯流排轉換器來驅動。 IRF6668與IRF6662 可以配合IR的低電壓DirectFET MOSFET和DC匯流排轉換器控制IC使用，建立用於中功率隔離式匯流排轉換器的完整及最佳化晶片組解決方案。」

假如把IRF6662或IRF6668使用於未調整的48V輸入、8V輸出和200W隔離式轉換器的一次側，原有每平方吋97W的功率密度便可再提高15%。全憑IR DirectFET MOSFET封裝技術的雙面冷卻功能加上散熱器，才能達到這個效果。

100V IRF6662的元件通態電阻，比同類的增強式SO-8 MOSFET減少了4%， 而匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數，則比用於36至75V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器的同類增強式SO-8元件高出30%。

80V IRF6668的通態電阻比同類的增強式SO-8 MOSFET改善了10%，總閘電荷也改善了30%，使匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數提升了40%，在48V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器中，體現多出10% 的輸出電流。

這些新型DirectFET MOSFET可配合IR2085S元件使用於半橋式DC匯流排布局技術，或配合IR2086S元件使用於全橋式DC匯流排布局技術，再耦合於像IRF6635的二次側低電壓DirectFET MOSFET，便可實現完整的高效率解決方案。

已獲專利的DirectFET封裝技術

IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝，具有在標準塑料分立封裝內前所未有的設計優點。它們的金屬罐結構可提供雙面冷卻功能，把用於驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封裝內的元件全部符合「電子產品有害物質限制指令」(RoHS)。

100V IRF6662和80V IRF6668 DirectFET MOSFET現在已開始供貨。產品的基本規格如下：

產品編號/封裝/VDSS/Vgs=10V下的最大RDS(on)/典型Qg/典型Qgd

IRF6668/DirectFET MZ/80V/15mOhm/22nC/7.8nC

IRF6662/ DirectFET MZ/100V/22mOhm/22nC/6.8nC

設計工具和應用資料

AN-1035 – DirectFET MOSFET的電路板安裝導引
AN-1050 – DirectFET MOSFET的物料和實際應用
AN-1059 – DirectFET MOSFET的熱模型製造和特性化

IR的DirectFET網上探索中心讓設計人員加深了解如何使用DirectFET元件的獨特優點，以及它們怎樣增強電力和熱性能。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

- 新聞稿有效日期，至2005/11/12為止

上一篇：廣告終生成就獎得主賴東明談{廣告河邊一枝草}
下一篇：廣告AE實戰班 10月15日(六)開課!