DDR3是一項已制定完成的DDR DRAM介面技術，支持時鐘頻率為400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps資料速率，是DDR2介面資料速率的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2在功耗上減少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比標準設計更低的底座面，讓ATCA刀鋒系統中可以使用底座最大和高度低於2.80 mm的極低側高模組。新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低位準接觸電阻，可以使用已註冊的DIMM模組及降低刀鋒式伺服器中的功耗。

Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著更高頻寬需求的不斷增長，擁有以較快速率傳輸資料而不犧牲寶貴空間或功率的能力是十分重要的。我們的客戶在使用DDR3 DIMM插座時，能夠利用終極高性能記憶體互連，同時維持或縮小現有封裝尺寸和降低功耗。”

Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型的外殼和閉鎖(latch)設計，實現氣流最大化及消除運作期間所聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作及輕易地移除高密度記憶體模組。2.40 mm的低底座面已將垂直空間優化，以便提供更靈活的插座模組設計高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座可提供極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。與標準壓接終端相比，這些壓接插座具有更小的針孔型順應引腳，從而為更高密度的跡線路由釋放寶貴的PCB空間。所有Molex的空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，而SMT版本則不含鹵素。

Molex超低側高DDR3 DIMM插座具有僅高1.10 mm的底座面，是產業中最低的。該插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空間來安裝高密度的DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用。這項規範要求前板(front board )PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座還具有更小的閉鎖動作角度，可以使用比標準DIMM插座更少的PCB空間，改善氣流和使已安裝的元件變得更接近。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，將採用波峰焊和高溫紅外回流焊作業變成可能。

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- 新聞稿有效日期，至2013/06/15為止

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