三個 N 通道及三個 P 通道 FemtoFET MOSFET 均採用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與晶片級封裝 (CSP) 相比，其可將電路板空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支援低於 100 mΩ的超低導通電阻，比目前市場上類似元件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 保護。更多詳情，請觀看視訊影片。

產品型號 通道 BVdss
(V) Vgs
(V) 典型導通電阻（歐姆） Id（Ta = 25°C 時）
(A)
1.8V 2.5V 4.5V
CSD17381F4
N 30 12 160 110 90 3.1
CSD17483F4
N 30 12 370 240 200 1.5
CSD13381F4
N 12 8 310 170 140 2.1
CSD25481F4
P -20 -12 395 145 90 -2.5
CSD25483F4
P -20 -12 580 338 210 -1.6
CSD23381F4
P -12 -8 480 250 150 -2.3

FemtoFET MOSFET 為 TI NexFET 功率 MOSFET 產品系列，該系列還包括適用於手機等可攜式應用的 CSD25213W10 P 通道元件以及 CSD13303W1015 N 通道元件等。TI 提供 LP5907 高電流 LDO 線性穩壓器以及 TPS65090 前端電源管理單位(PMU) 等各種系列的電源管理產品，可為手持應用節省電路板空間，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優勢
• 低於 100 mΩ的導通電阻比類似元件低 70%，可節省電源，延長電池使用壽命；
• FemtoFET 0.6 mm × 1.0 mm × 0.35 mm的 LGA 封裝比標準 CSP 小 40%；
• 1.5A 至 3.1A 的持續極漏電流值與市面上類似尺寸元件相比，可提供超過 2 倍的效能。

供貨情況與價格
FemtoFET MOSFET 元件現已開始透過 TI 及其授權經銷商批量供貨。CSD17483F4每千顆單位建議售價為 0.06美元，CSD17381F4每千顆單位建議售價為 0.10美元。

TI 針對消費性電子的類比產品
TI 廣泛的電源管理及類比訊號鏈產品具備的高效能、低功耗以及高整合度特性，可協助設計工程師開發創新且具差異化的消費性電子產品。TI 正透過手勢識別、觸覺反饋、進階電池充電、音訊以及健康技術等構建美好未來。更多關於 TI 類比產品如何改善我們的生活、工作和娛樂，請參訪以下連結：www.ti.com/analogconsumer-pr。

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- 新聞稿有效日期，至2013/12/13為止

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