東京, 2013年12月10日 -- (亞太商訊) -- 田中貴金屬工業株式會社(※1)(總公司:東京都千代田區、執行總裁:岡本英彌)、NEWLONG精密工業株式會社(總公司:東京都品川區、執行總裁:板垣昌幸)、太陽化學工業株式會社(總公司:群馬縣高崎市、執行總裁:小川等)三家公司,將自2013年12月4日(週三)起開始提供新技術(下稱本技術),其可藉由高精密網版印刷,於基板上批次形成使用次微米大小(萬分之1釐米)金粒子之低溫接合材料「AuRoFUSE(TM)」的微細複合圖案。除提供客戶「AuRoFUSE(TM)」、印刷裝置、網板技術外,亦提供技術導入之相關諮詢與支援樣品試做。 製造LED(發光二極體)晶粒、MEMS(微機電系統)裝置等之廠商如導入本技術,可達成下列成效: -- 在矽晶圓、基板之金(Au)配線上可印刷形成有利於吸收接合面的高低差、耐熱性高且低電阻的微細複合圖案,適用於電極接合、密封外框用途。 -- 印刷後之密封外框可藉由200℃之熱壓接合使組織緻密,進而達成氣密封裝。 -- 可藉由高精密網版印刷形成圖案,無須如傳統方式結合電鍍、蒸鍍、濺鍍等多個工序,因此可減少加工處理步驟。 -- 可達成8吋晶圓尺寸之圖案形成。 -- 由於「AuRoFUSE(TM)」可承受反覆印刷,因此能以最少的材料損失實施作業。由此可見,藉此應能實際降低主要工序的成本。 - 開發出可以「薄、小、細」方式形成「AuRoFUSE(TM)」之微細複合圖案的印刷技術
「AuRoFUSE(TM)」係在粒徑控制至次微米大小的金粒子中混合了有機溶劑的膠狀接合材料。一般而言,微細粒子具有「燒結」特性,一旦受到以低於熔點之溫度加熱,粒子會互相結合。「AuRoFUSE(TM)」被加熱至200℃時溶劑會先蒸發,無需施重,金粒子即呈燒結結合;在溫度300℃下亦可維持約30兆帕(MPa)的充足接合強度。在接合時無需對構成零件按壓,即可達成高溫時之接合強度。 為了讓客戶使用「AuRoFUSE(TM)」即可輕易在基板上形成微細複合圖案,田中貴金屬工業針對製程技術深入研討。研討時,本公司認為為了有效使用昂貴的金材料,必須以「薄、小、細」的方式形成圖案,著眼於搭配可因應量產之高精密網版印刷,而與NEWLONG精密工業、太陽化學工業合作研發。田中貴金屬工業負責「AuRoFUSE(TM)」之印刷穩定性;NEWLONG精密工業負責評鑑何種技術能夠以網版印刷機充分發揮「AuRoFUSE(TM)」的功能;太陽化學工業則負責與印刷網板校正。 - 有效使用於MEMS等氣密封裝 在裝置之高機能化發展過程中,晶圓級封裝(WLP)之封成本的上揚成為MEMS裝置製造廠商的新課題。譬如,傳統的密封法是於密封外框施予金-銦多層電鍍並以200℃熔融接合,其必須降低電鍍成本與提高接合之良率。 將「AuRoFUSE(TM)」進行網版印刷所形成的密封外框,經熱壓(200℃、100MPa)使金粒子燒結體變形後,可達成緻密化、高真空氣密封裝(※2)。金粒子燒結體具有吸收基板表面凹凸的壓縮變形性,不僅可簡化傳統必要之接合前的表面平滑化處理(CMP),亦可提高製品良率。在封裝小型化方面,由於亦可以縮減印刷寬度之方式因應,未來本技術的泛用性可謂非常高。 - 解決高功率LED等用於功率元件之接合材料的「熱」問題 目前,主要用作固晶黏著材料(※3)之錫類與金類焊錫雖具有可承受至熔點溫度的耐熱性,但要用於未來具更高性能之次世代功率裝置,則仍有諸多問題待解決。譬如,在高功率LED範疇,係使用Bonding Wire將晶片表面與基板進行電氣接續,但卻有著因Bonding Wire遮蔽發光面而導致亮度下降的問題。有鑒於此,覆晶接合法頗受矚目,其不使用Bonding Wire,改以突出狀端子(凸塊)接續電極,藉此達成更高的發光效率。此方法將使接合面積變小,又因焊錫合金本身之高熱電阻,而會降低元件之放熱性,結果元件的溫度上升且發光能力下降。從高放熱性之觀點而言,「AuRoFUSE(TM)」為金-金接合,可解決元件受損的問題。 再者,使用了碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)之次世代功率半導體,操作溫度亦有超過300℃的情形。因此,如以金-錫類焊錫接合,材料將會熔融。不過,如藉由「AuRoFUSE(TM)」接合,則即使在300℃亦可達成充分的高放熱和接合強度。 田中貴金屬工業於2009年12月起提供「AuRoFUSE(TM)」之樣品,於開始提供本技術之際,建立了一年可製造200公斤的量產體制。今後,將僅提供材料,或透過套裝技術(如本技術)提供「AuRoFUSE(TM)」,計畫在2020年將「AuRoFUSE(TM)」的目標營業額提高至每年20億日圓。 此外,自2014年1月15日(週三)至17日(週五),田中貴金屬工業將於東京Big Sight(東京都江東區有明)所舉辦的「第15屆半導體封裝技術展」中參展。不僅會於展示攤位(東43-001)展出以本技術形成圖案的晶圓樣品,同時也將派駐技術負責人員,歡迎蒞臨採訪。 新聞稿: http://www.acnnewswire.com/clientreports/598/1210_CT.pdf (※1)田中貴金屬工業株式會社:在以 Tanaka Holdings Co., Ltd.為控股公司之田中貴金屬集團當中,發展製造事業的核心企業。 (※2)達成1.0-13 Pa・m3/s之氦耗損量(洩漏量)。亦即,1m3之體積壓力每秒上升0.0000000000001帕的耗損量。 (※3)固晶黏著材料:將晶片接合於導線架、陶瓷、基板等的材料。 報導相關諮詢處 國際営業部, 田中貴金屬國際株式會社(TKI) https://www.tanaka.co.jp/support/req/ks_contact_e/index.html - 新聞稿有效日期,至2014/01/12為止
聯絡人 :李理 聯絡電話:+81 3 5791 1821 電子郵件:info@japancorp.net
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