中微Primo SSC AD-RIE™已被客戶用於16奈米關鍵快閃記憶體晶片製程的首選設備
上海和首爾2014年2月12日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（簡稱「中微」）宣佈獲得韓國先進存儲晶片生產廠商購買Primo SSC AD-RIE™（中微單反應台等離子體蝕刻設備）的重複訂單。該設備被客戶認可為用於16奈米關鍵快閃記憶體晶片製程的首選設備（PTOR），將用於大批量晶片生產。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通過客戶生產線上嚴格的驗證，取得了比其他同類競爭產品更加優異的結果。中微現在正在和客戶合作研究開發DRAM和3D NAND工藝。
中微單反應台等離子體蝕刻設備Primo SSC AD-RIE(TM)
中微單反應台等離子體蝕刻設備Primo SSC AD-RIE(TM)
中微副總裁兼韓國區總經理尹敬一表示，中微設備成為「PTOR」標誌著中微取得了一項重大進展，他說道：「很明顯，現在處於世界前沿的客戶不單單想從供應商那兒尋找新設備，他們還希望能夠為複雜的生產過程帶來的挑戰尋求全面解決方案。這就要求先進技術和相關專業知識緊密聯繫在一起，正是依靠這種模式，我們為該客戶解決了生產過程中碰到的各種問題，使得客戶的快閃記憶體晶片開發取得新的進展。」
中微半導體設備有限公司宣佈獲得韓國先進存儲晶片生產廠商購買Primo SSC AD-RIE(TM)的重複訂單。該設備被客戶認可為用於16奈米關鍵快閃記憶體晶片製程的首選設備（PTOR），將用於大批量晶片生產。
Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代蝕刻設備產品，能夠滿足超高產能、優異的晶片加工品質和晶片蝕刻技術可延展性等嚴苛的技術要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單晶圓加工反應器，每個反應器可以獨立地設定加工條件，從而靈活地實現精准的工藝控制。每個反應器有極高的抽速，並有多區氣體分佈、動態射頻功率以及多區溫度控制等可獨立調節的工藝參數。而線上工藝微調和穩固的腔體設計避免了高深寬比蝕刻工藝中常出現的蝕刻停止現象以及工藝飄移現象的發生，從而提高蝕刻的重複性並更容易實現反應器之間的良好匹配，能夠大大提高生產效率。
中微蝕刻設備的一大關鍵優勢在於它的配置極具靈活性。它在同一個主機系統上可以配備雙反應器實現高產出和低成本，或者也可以配備單反應器以滿足關鍵蝕刻工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現在氣體控制系統的安裝上，他們既可以置於地面以便於維護，也可以置於設備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。
關於中微半導體設備有限公司
中微公司致力於為全球半導體和LED晶片製造商提供領先的工藝技術解決方案。公司等離子體蝕刻設備和矽穿孔蝕刻設備已廣泛應用於國際一線大廠45奈米到1X奈米及以下的晶片加工製造等。目前，中微已有240多個蝕刻反應台在亞洲地區20多個國際領先的生產線上運行。中微開發的製造發光二極體的MOCVD設備也已進入生產線運行。
如需更多訊息，請參考公司網站：http://www.amec-inc.com
消息來源: 中微半導體設備有限公司- 新聞稿有效日期，至2014/03/28為止
聯絡人 ：June Lai
聯絡電話：25724978
電子郵件：june.lai@prnasia.com
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