DesignWare USB 3.0 以及 USB 2.0 femtoPHY IP (包括DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET and DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已通過多項由USB開發者論壇(USB Implementers Forum, USB-IF)所進行的相容性測試，包括5V耐受度(tolerance)和3.3V訊令傳輸(signaling)；其所具備的卓越效能，對於採用USB-IF規格的系統配置來說是一大福音。此外，DesignWare USB femtoPHYs也支援完整的USB實作，提供可應用於廣泛SoC設計的系統架構。DesignWare USB 3.0 以及 USB 2.0 femtoPHY IP皆支援、高速、全速和低速運作，以及主機端(Host)、裝置端和OTG(On-the-Go)配置。同時，DesignWare USB 3.0 femtoPHY 還支援 SuperSpeed USB (USB 3.0)。

三星電子晶圓行銷副總裁 Shawn Han表示：「基於長久以來使用DesignWare USB IP的成功經驗，這次我們利用高品質的DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP達成一次完成矽晶設計(first-pass silicon success)。此次在三星電子晶圓廠完成製造流程的DesignWare USB femtoPHY IP，是第一個通過USB-IF認證的14奈米FinFET矽晶。客戶採用面積大幅縮小的PHY後，將能提升SoC設計的競爭力，同時也簡化額外的USB連結。新思科技的DesignWare femtoPHY滿足大量行動裝置和消費性應用產品在成本、功耗、效能及上市時程等需求；而這些都是讓我們能成功因應快速變化的市場需求的重要關鍵。」

此眼睛般的圖示代表在14奈米FinFET製程技術中，新思科技DesignWare USB 3.0 femtoPHY矽晶所展現的絕佳效果和優勢。

新思科技所開發的USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP，能讓設計人員在不犧牲USB認證所要求的功能情況下，為其設計的應用選擇最理想的實作方式，例如，要求高效能的設計，能藉由SuperSpeed USB (USB 3.0)的規格，有效利用USB 3.0 femtoPHY的 5.0 Gbp數據傳輸率；而對效能要求較少的應用，則可藉由Hi-Speed USB (USB 2.0)規格，執行USB 2.0 femtoPHY的 480 MHz數據傳輸率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能減少SoC周邊所需的針腳(pin)數，以進一步降低SoC的面積和成本。透過節能(power down)功能，當PHY未運作時，可將其設為待機狀態，一方面降低電池消耗，同時保有PHY的全部使用狀態，有助於快速、正確的恢復開機模式。此外，DesignWare USB femtoPHY還支援業界普及的USB Battery Charging 1.2版以及USB OTG 2.0版協定。

USB開發者論壇總裁暨營運長Jeff Ravencraft表示：「十八年來，新思科技一直是USB-IF的活躍會員之一，藉由不斷開發IP產品，讓USB 3.0 和USB 2.0介面能輕易地整合和應用。而新思科技全新且面積較小的DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY取得USB-IF的認證，意味著該產品能滿足USB-IF相容性標準，並且符合相對應的規格，協助晶圓製造商，能順利將這項技術納入他們的SoC製程中。」

新思科技IP暨軟體原型行銷副總裁John Koeter表示：「透過新思科技的解決方案，SoC設計人員已在3,000多件設計和超過100個製程技術中，完成USB介面開發，鞏固了新思科技10多年來位居全球USB IP主要供應廠的地位。新思科技IP技術團隊及為先進製程提供高品質IP專業技術的佳績，讓設計人員在晶片設計中，具有整合能滿足各項應用迫切所需IP的能力。隨著DesignWare USB 3.0 和USB 2.0 femtoPHY IP的推出，以及成功應用在FinFET矽晶技術上做為後盾，讓我們能協助客戶滿足業界需求，設計出更小、更低成本及更高效能的SoC。」
上市時程
DesignWare USB 2.0 和USB 3.0 femtoPHY IP已應用在業界主要的14/16奈米FinFET和28奈米製程節點。

- 新聞稿有效日期，至2014/07/20為止

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