GEMINI®FB XT提升3倍晶圓對位精準度，超越ITRS對晶圓接合各項要求　強化生產力成功增加50%產量

台北，2014年8月26日—微機電系統(MEMS)、奈米技術與半導體晶圓接合與微影技術設備領導廠商EV Group (EVG)今日發表新一代融合式晶圓接合平台GEMINI®FB XT，結合多項效能突破，讓半導體產業向3D IC矽穿孔(TSV)技術高量產(HVM)的目標邁進一大步。GEMINI FB XT突破多項有礙產業採用3D IC矽穿孔技術的關鍵難題，將晶圓接合對位精準度提升至之前業界標竿平台的3倍，並可增加50%產量，無須採用昂貴且複雜的微影製程，即可持續提升元件密度與效能。

晶圓級接合是堆疊式DRAM、邏輯記憶體混成線路及未來CMOS影像感測器等3D元件的關鍵製程步驟。作為已接合晶圓的電氣接點，矽穿孔尺寸的微縮化降低3D元件成本、支援更高水準的元件效能與頻寬及降低功耗的必備條件。然而晶圓接合要求緊密對位與堆疊精準，如此已接合晶圓的互連元件之間才會形成良好的電氣接點，並可將接合界面的互連範圍縮小到最小，因此晶圓上才能有更多空間產出晶片。

對位是3D IC 融合式晶圓接合的關鍵
根據2012年國際半導體技術藍圖(ITRS)，高密度矽穿孔應用要求晶圓接合對位的精準度在2015年將達到500 奈米 (3個標準差)。為了實現混合晶圓接合的高製程良率，業界需要更微縮的規格。GEMINI® FB XT 結合了EVG新推出的SmartView® NT2接合對準機，能大幅提升晶圓接合對位精準度至200奈米以下(3個標準差)；比先前EVG廣為業界採用的標竿SmartView® NT平台提升了3倍，更超越了最新的ITRS藍圖規範，因而為正考慮3D IC矽穿孔技術納入產品藍圖的元件製造商解決了一個關鍵問題。整合式量測模組在預接合時能確認晶圓對位的精準度，讓客戶在高量產過程中可快速調校接合製程。

EV GROUP推出GEMINI® FB XT突破3D IC 高量產製程障礙
GEMINI® FB XT採用了EVG的XT Frame平台，是專為超高產量與生產力量身打造的平台，廣泛地運用在EV Group領先業界的系統中。同時加入前置與後置處理模組，支援晶圓清洗與表面預理、電漿活化，以及可提升50%產量的晶圓接合對位作業。大幅提升的產量及更精準的對位規範可讓IC製造商將原先在生產價值鏈中段 (MEOL) 和後段 (BEOL) 製程的晶圓堆疊移到前端 (FEOL) 製程，進而可讓元件製造商把更多功能透過晶圓級製程整合到產品中，其中藉由更高層級的平行處理技術大幅降低3D IC矽穿孔的製造成本。

EV Group執行技術總監Paul Lindner表示：「極紫外光(EUV)微影的進程不斷延後，因而3D IC矽穿孔技術整合已成為最被看好的技術之一，將摩爾定律推展到未來的元件世代。但如果無法達到更緊密精準的晶圓接合對位，就不可能針對各種新興的記憶體與邏輯應用運用3D IC矽穿孔整合技術。EVG持續推動3D IC矽穿孔應用的全系列解決方案，協助我們客戶不斷邁向3D IC技術商業化的目標。我們推出的全新GEMINI® FB XT平台是一重大里程碑，我們期盼和客戶持續合作，實現3D IC高量產的目標。」

EV Group全新GEMINI® FB XT融合式晶圓接合解決方案的照片電子檔可至www.EVGroup.com下載。

有興趣瞭解EVG公司、3D IC封裝和其他應用最新發展動態的媒體朋友與分析師，歡迎於2014年9月3至5日登場的SEMICON Taiwan國際半導體展，造訪台北南港展覽館EVG的展示攤位(攤位號碼：316)，以及參加EVG在技術趨勢論壇的說明會。EVG公司的代表將在9月4日11:05 至11:30的SEMICON Taiwan MEMS論壇中以「微機電系統3D整合與智慧感測CMOS製程之尖端晶圓接合技術」為題發表演講，並將在9月4日14:35 至15:00的SiP Global Summit 3D IC 技術趨勢論壇中介紹 「混合晶圓級接合之2.5D中介層與3D IC 製程 (設備層面)」，以及9月5日11:00至11:30的SEMICON Taiwan TechXPOT創新技術發表會中介紹「高量產晶圓級光罩對準器與抗蝕劑處理解決方案」。

關於EV Group (EVG)
EVG是全球半導體、微機電、化合物半導體、電源元件和奈米科技應用的晶圓製程解決方案領導廠商，主要產品包括晶圓接合、晶圓薄化製程微影術/奈米壓印影術(NIL)和檢測設備，以及光阻塗佈機、顯影機、晶圓清洗和檢測設備。EVG成立於1980年，藉由一個完備的全球網絡資源為全球的客戶和合作夥伴提供服務。更多相關資訊請參考公司網站：www.EVGroup.com

- 新聞稿有效日期，至2014/09/26為止

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