科銳公司(Nasdaq: CREE) 日前宣佈其1200V、80毫歐姆的C2M™系列碳化矽(SiC) MOSFET已獲得日本Sanix公司採用,納入其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計內,而該逆變器用於正在快速成長的日本太陽能市場中的商用化太陽光發電系統。 Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示:「藉著與科銳的夥伴關係和其擁有的碳化矽技術,我們能夠在競爭激烈的日本太陽能市場中取得更高的市占率。科銳的碳化矽MOSFET對Sanix而言非常重要,使我們得以實現效率和散熱設計目標。和我們考慮中的矽超級接面MOSFET (silicon super-junction MOSFET)相比,碳化矽開關在我們的太陽能逆變器電子中可降低損失超過30%以上。科銳最新一代C2M系列碳化矽MOSFET除了可提供大幅的效率增益外,在定價上也具有競爭力,因此可以取代電壓、耐用性和效率都較低的矽功率MOSFET。」 科銳1200V 的C2M0080120D MOSFET用於太陽能逆變器的初級功率轉換階段,提供更快的開關特性,而開關損失甚至僅為同等評級的額定電壓900V矽超級接面MOSFET的三分之一。藉著大幅減少開關損失,科銳的碳化矽MOSFET能實現較少的系統總能量損失、較高的頻率切換、以及較低的操作溫度。這些優點提升了轉換效率,同時降低系統的尺寸、重量、複雜性和熱管理要求。在系統層級方面,系統性能獲得提升、成本得以降低、而太陽能逆變器的壽命也得以延長。 科銳功率和射頻部門總經理暨副主席Cengiz Balkas表示:「我們非常高興見到Sanix在其新型9.9kW太陽能逆變器中,採用科銳1200V C2M系列碳化矽MOSFET技術。科銳碳化矽功率裝置能為太陽能逆變器的效率、可靠性和成本等方面提供顯著的優勢,並且隨著Sanix公司不斷擴大在日本太陽能市場的市占率的同時,為其提供關鍵性的競爭優勢。」
科銳的C2M系列碳化矽MOSFET經證實比傳統的矽技術可實現高達三倍之多的功率密度,並提供了1200V和1700V,範圍從1Ω至25 mΩ的型號選擇。C2M系列的MOSFET自2013年三月上市以來受到一系列工業功率應用產品採用,並持續面臨需求不斷增加的情況。科銳目前所提供的碳化矽MOSFET產量,主要是供應給Sanix和其他太陽能逆變器製造商,此外還有工業電源供應器、輔助功率轉換器、電池充電器及馬達驅動器的製造商。 要瞭解有關科銳C2M SiC MOSFET的更多資訊,請參閱公司網站www.cree.com/Power/Landing-pages/MOSFET-products。要獲取C2M SiC MOSFET模型,請參閱公司網站:www.cree.com/Power/Tools-and-Support/MOSFET-model-request2。其他更多關於科銳電源產品的訊息,請到下列網站下載科銳的電源產品選購指南:www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Sales%20Sheets/Power_Product_Selector_Guide.pdf。 要瞭解有關科銳經銷夥伴的訊息,請參閱公司網站www.cree.com/power。或請填寫網上表格與科銳的電源產品部門聯繫:www.cree.com/Contact/Forms/Power-contact-form 關於科銳 (Cree) 科銳是照明級LED、LED照明,以及電源和射頻(RF)應用半導體產品的市場領先創新廠商。 科銳的產品系列包括電源MOSFET、電源二極體和電源模組。此外,科銳還提供LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED晶片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產品正在推動例如: 一般照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。 要瞭解有關科銳和產品的更多資訊,請參閱公司網站www.cree.com。 本新聞稿包含了涉及(已知和未知)風險和不確定性的前瞻性聲明,可能導致實際結果與這些預期說明出現重大的差異。實際結果可能發生重大差異的諸多因素包括實際節能與預期不同的風險;我們可能無法以足夠低的成本製造這些新產品,從而提供具有競爭力的價格或可接受的利潤;我們可能在新產品產量提高時發生延遲或其它困難的風險;客戶對於LED產品的接受程度;新技術和競爭產品的快速開發可能削弱對科銳產品的需求或導致科銳產品的淘汰,以及在科銳公司提交予證券交易委員會的檔中討論的其它因素,包括截至2014年6月29日的Form 10-K報告,以及後續檔案。 Cree® 和C2M™是Cree, Inc.的註冊商標。
- 新聞稿有效日期,至2014/10/17為止
聯絡人 :Iris Koo 聯絡電話:25258978 電子郵件:iris@techworksasia.com
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