G.fast是可在銅纜上實現1Gbps速率的全新 xDSL標準，其預期最大範圍為250m。為了使G.fast達到最高資料速率，需要使用較短的回路長度，因而需要使用光纖到分配點(FTTdp)技術。在某些情況下，不管是因為放置DPU的地點、與電網連接相關和使用智慧電錶來監控電網的國家法規或經濟原因，這些光纖饋入分配點單元(DPU)都會採用反向饋電技術。要瞭解有關反向饋電技術優勢的更多資訊，請瀏覽網頁http://www.microsemi.com/product-directory/ics/3551-reverse-power-feeding。RPF技術在開發時，即已將G.fast標準納入考慮，而且它與VDSL2向後相容。

美高森美公司已在BBWF論壇上展示了RPF技術在DSL應用上所帶來的效益，且按照其設計，它可與Broadcom Corporation的VDSL2和 G.fast晶片組搭配使用。

美高森美產品線管理總監Iris Shuker表示：“我們很高興可以利用公司在DSL和遠端供電應用這兩個領域的專有技術，並與Broadcom公司合作，共同將美高森美的產品組合擴展到寬頻市場。用於CPE的PD81001 RPF PSE可與用於DPU的PD70101 RPF PD配對使用，這兩者皆是以ETSI和BBF目前正在進行標準化的成熟技術為基礎，而且推動了帶有反向饋電特性的先進DSL技術之快速部署。我們的解決方案以 metallic-signature 握手協定為基礎，並為Broadcom的DSL設備提供了固有的可靠性和成本優勢，超越了更複雜的通訊解決方案。”

Broadcom公司寬頻運營商接入高級產品行銷總監Jim McKeon表示：“Broadcom公司正在推動實現數據速率達到每秒1Gigabit的先進DSL寬頻解決方案。美高森美的新型RPF解決方案簡化了FTTdp的部署，讓營運商減少資本支出，相應地促進了性價比更高DSL解決方案的開發。”

關於反向饋電產品

美高森美RPF IC的主要技術特性：

• PD81001是整合低 Rdson FET 的RPF PSE晶片
o 僅有10個外部元件，具有內建的3.3VDC輸出
o 支援10、15、21和30W RPF級別，具有單一DC電壓輸入(32-57 VDC)
o 提供受電設備保護，例如超載、欠載、過壓、過熱和短路保護
o 固有電話摘機(off-hook)保護
o 通過SPI監控PSE線路功能

• PD70101是帶有整合式PWM控制器的RPF PD晶片
o 帶有浪湧電流限制的整合式低Rdson隔離FET開關
o 超載和短路保護
o 署名電阻(signature resistor)在檢測時斷開
o 兩個用於高效同步整流或主動箝位的異相(out-of-phase)驅動級

封裝和供貨

PD81001採用4 x 5 mm 24引腳的QFN封裝，PD70101則採用5 x 5 mm 32引腳的QFN封裝。兩款RPF IC產品現已大量供應。要瞭解更多資訊，請聯絡美高森美公司sales.support@micrsosemi.com。

關於美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通訊、國防與安全、航太與工業提供全面的半導體與系統解決方案，產品包括高性能、耐輻射類比混合積體電路，可程式設計邏輯器件(FPGA) ；可客製化系統單片 (SoC) 與專用積體電路(ASIC)；功率管理產品；時鐘、同步設備以及精密定時解決方案為全球的時鐘產品設定標準；語音處理器件；RF解決方案；離散組件；安全技術和可擴展反篡改產品；乙太網供電 (PoE) IC與電源中跨 (Midspan) 產品；以及客製化設計能力與服務。美高森美總部設於美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數約3,400人。欲獲取更詳盡資訊，請瀏覽網站：http://www.microsemi.com。

－ 完 －

Microsemi與公司標誌，以及其它商標均是美高森美公司與/或其附屬公司的商標或註冊商標。所有其它商標及服務標章屬有關擁有者所有。

以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險，不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。具體的前瞻性聲明包括但不限於美高森美宣佈與Broadcom合作擴展針對下一代 xDSL 應用的寬頻產品組合，以及其對未來業務的潛在影響的陳述。其中，下列因素可能導致實際結果與這些前瞻性聲明中所描述的結果存在實質性的差異：技術的快速變化或產品停產，潛在成本上漲，客戶訂單偏好的改變；半導體行業的激烈競爭以及隨之而來的價格下滑壓力，對產品的需求與接受程度相關的不確定因素;終端市場的不利條件；正在進行中或已計畫的發展或市場推廣和宣傳所帶來的影響，預測未來需求的困難性；預期訂單或積壓訂單無法實現的可能性；產品責任問題，以及現有或預計半導體行業出現其它未能預計的潛在業務和經濟情況或不利因素；保護專利及其它所有權的困難性和成本，客戶的產品認證事宜而引致產品停產或其它困難等。美高森美將在未來不定期提交附加的風險因素。除這些因素和在本新聞稿的其他部分所提到的其他因素外，讀者還應參閱由美高森美向美國證券交易委員會備案的公司最新10-K表格及所有後續的10-Q報告中所述的因素，不確定性或風險。本新聞稿所含的前瞻性陳述僅敘述截至本稿刊發之日的情形，並且美高森美概不承擔對這些前瞻性陳述進行更新以反映後續事件或情況的義務。

- 新聞稿有效日期，至2014/12/05為止

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