台北訊—7月12日—絕緣層上覆矽（SOI）晶圓與其它半導體生產用工程基板的領導製造商Soitec（Euronext Paris），今天宣布其應用於65奈米線寬以下製程的應變絕緣矽（sSOI）晶圓已經上市，並成為業界首款因應未來需求而量產的商業基板。綜合應變絕緣矽的高移動速度優勢，以及絕緣層上覆矽具備的高速與低功率耗損特性，Soitec的新應變絕緣矽晶圓設計，可為新一代晶片帶來更多在效能及功率上的優勢。

Soitec總裁暨執行長André-Jacques Auberton-Hervé表示：『最新一批絕緣層上覆矽基板，目標鎖定網路處理、運算、遊戲及高階無線產業內的進階應用，而對這些應用來說，速度及極低功率十分重要。除了讓晶片製造商可以更進一步擴大其產品的效能與功率優勢，我們新的應變絕緣矽晶圓將會是未來之可延伸平台。』

應變絕緣矽技術的領導發明廠商—飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）奧斯汀分公司矽晶技術解決方案總監Suresh Venkatesan指出，在不影響持續提升電晶體效能的情況下，控制使用中與儲備能源用量，是帶動產業發展創新、非傳

統收縮技術的動力。Suresh Venkatesan說：『應變絕緣矽技術是Freescale電晶體產品發展計畫內創新發明的最好例子。目前這項技術正在進行45奈米結點的評估，初期目標是網路與遊戲應用，最終必能協助Freescale的客戶製造更微小、功能更強大的娛樂電子產品及智慧型可攜式裝置。』

應變絕緣矽未來發展方向
Soitec指出，新一批應變絕緣矽基板之所以能吸引客戶的興趣，主要來自於市場與技術領導廠商希望能大幅提升電子移動速度，同時降低閘極的漏電與耗電量。此外，應變絕緣矽可協助克服CMOS製程感應的應變技術所帶來的收縮問題，並為調整頻寬間隙打開了一扇門。目前，Soitec為部分及完全耗盡裝置架構，提供應變絕緣矽產品。由於應變絕緣矽與目前絕緣層覆矽和CMOS的製程相容，並經證實可用於多鰭狀通道電晶体（FinFETs）或多閘極通道電晶體（Multigate FETs）、 加上顯著的移動能力增加與未來延伸性，應變絕緣矽對65奈米以下的裝置來說，扮演十分重要的角色。

為達到客戶對發展中應變絕緣矽的要求，Soitec已將其 300毫米應變絕緣矽平台從開發轉換到第一階段的量產，這與公司進一步擴展產能，以符合市場要求的策略計劃一致。Auberton-Hervé總結：『就像當初發展絕緣層上覆矽一樣，我們將開始進行初期製造以因應早期使用者的需要。接下來，當主流市場開始大量使用這項創新基板技術時，便啟動量產步驟。此時，我們會持續專注於提高品質以符合客戶不斷演變的技術需求。』

Freescale即將受邀於SEMICON West 2006記者會中發表演說：
Soitec將於2006年7月11至13日，於加州舊金山市Moscone展覽中心舉辦的SEMICON West 2006展示，展示地點位於展覽中心北區5425號展位。媒體朋友若欲得知更多有關應變絕緣矽技術的發展，請於7月11日星期二下午4點到6點，蒞臨位於Sheraton Palace Hotel（French Parlor Room）的記者招待會。如欲參加記者會，請與Kelly Picasso連絡：kpicasso@mcapr.com 或 +1-650-968-8900 分機127。

關於Soitec Group
Soitec Group是全球工程基板創新與製造的領導者，為現今最先進的電子產品與奈米技術提供發展基礎。公司總部位於法國Bernin，生產眾多工程基板，其中包括SOI與應變絕緣矽，並運用Soitec專利Smart Cut™技術 –業界奉行的標準。Soitec擁有遍佈全球的經營據點、專利技術、以及領先業界的產能，協助業者提升效能與省電效率，滿足全球消費者對於省電、行動電子產品的需求。該公司的股票與可轉換公司債都在法國股市掛牌交易。詳細資訊請參考該公司網站www.soitec.com

Soitec的Smart Cut 及UNIBOND，是S.O.I. TEC 絕緣層上覆矽技術的註冊商標。

- 新聞稿有效日期，至2006/08/13為止

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