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產業動態 IR推出3款新型25V DirectFET MOSFET
era 本新聞稿發佈於2006/07/31,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出3款新型的25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET,以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET。它們適用於伺服器和電訊系統中的嵌入式CPU功率VRM模組,以及嵌入式DC-DC轉換器。這些應用需要高效率和更佳的導熱效能,從而提高功率密度。

 
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出3款新型的25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET,以及IRF6628和IRF6629同步MOSFET。它們適用於伺服器和電訊系統中的嵌入式CPU功率VRM模組,以及嵌入式DC-DC轉換器。這些應用需要高效率和更佳的導熱效能,從而提高功率密度。
IR台灣分公司總經理朱文義表示:「這些25V DirectFET元件切合12V應用的需要,因為它們比競爭對手提供的20V元件具有更充裕的電壓空間,功率損耗也比擁有相同動態矽區的30V元件為低。」
IRF6622控制MOSFET的閘電荷相當低 (Qg = 12nC),有助減少交換損耗。IRF6628和IRF6629同步MOSFET經過最佳化,不但擁有低傳導損耗,通態電阻 (RDS(on)) 也相當低,分別只有1.9m 和1.6m。IRF6622採用小罐DirectFET封裝和SQ佔位面積; IRF6628和IRF6629採用中罐DirectFET封裝和MX佔位面積。
這些25V DirectFET特別針對每相位20A至30A的設計。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位設計中,假如在每相位採用1對IRF6622和IRF6628,再配合 IR XPhase 晶片組,就可以在130A下達到88% 的效率。在相同情況下,IRF6622和IRF6629的組合之效率更高,在130A下達到88.5%。
產品基本規格如下:
編號 封裝 BVDSS
(V) 10V下 之
典型RDS (on)
(m) 4.5V下 之
典型RDS (on)
(m) VGS
(V) Tc=25ºC下之ID
(A) 典型QG
(nC) 典型QGD
(nC)
IRF6622 DirectFET SQ 25 4.9 6.8 20 59 11.0 3.8
IRF6628 DirectFET MX 25 1.9 2.5 20 160 31 12
IRF6629 DirectFET MX 25 1.6 2.1 20 180 34 11

IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET現已供貨,全部皆符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件,可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

新聞聯絡人:
美商國際整流器亞太區總部
亞太區市場傳訊總監 黃慧敏
Tel: +852-21957210
Fax: +852-25405835
E-Mail: wwong1@irf.com
香港商廿一世紀公關顧問股份有限公司
台灣分公司
唐毅倫/ 劉怡 / 徐可欣
Tel: (02) 2577-2100 Ext. 802 / 803 / 515
Fax: (02) 2577-1600
E-Mail: ellen.tang@erapr.com
Kay.liu@erapr.com
kate.hsu@erapr.com

美商國際整流器台灣分公司
總經理 朱文義
Tel: (02) 2709-8356 Ext. 101
Fax: (02) 2709-8150
E-Mail: rchu1@irf.com

- 新聞稿有效日期,至2006/08/31為止


聯絡人 :Jessie
聯絡電話:25772100
電子郵件:jessieyc.chen@erapr.com

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