• 在180奈米5V CMOS和BCD製程無法取得嵌入式快閃記憶體功能的情況下,NVM IP可讓微控制器與單晶片上可重覆編程的NVM相互整合。 • 提供整合式錯誤檢測校正(error checking and correction,ECC)功能,提升系統可靠性。
(台北訊) 全球晶片設計及電子系統軟體暨IP領導廠商新思科技(Synopsys)近日推出最新的DesignWare® Medium Density Non-Volatile Memory (NVM) IP系列。該Medium Density NVM IP可填補低位元數(lower bit-count) NVM與快閃記憶體間的缺口,在無需增加額外光罩和製程步驟的情況下,就能降低裸晶成本達25%,同時還提供高達64KB的晶載記憶體(on-chip memory)。針對小型感測器、電源管理和觸控螢幕控制器應用的類比IC設計,Medium Density NVM IP在整合其中的微控制器時,也能降低對外部EEPROM或快閃記憶體的需求。
市場研究公司Semico Research資深市場分析師Richard Wawrzyniak表示:「設計人員將微控制器嵌入至IC設計時,往往需選擇昂貴的晶片以便支援嵌入式記憶體,不然就得使用離散記憶體(discrete memory),這兩種選擇都所費不貲。新思科技的DesignWare Medium Density NVM IP正好能填補小型非揮發性記憶體(non-volatile memory)和嵌入式快閃記憶體之間的缺口,對於那些想要提高非揮發性記憶體的千位元組(kilobytes)又不想增加額外成本的設計人員來說,是非常理想的選擇。」
DesignWare Medium Density NVM IP產品為5V CMOS 和BCD製程技術帶來快閃記憶體的功能,其中,錯誤檢測校正功能可提升系統可靠性並減少實作。此外,相較於低位元數的NVM解決方案,NVM IP可提供5倍以上的密度以及40奈秒(nanoseconds)的存取時間,以達到快速讀取時間和即時運算。NVM IP通過新思實驗室嚴格的特性量測(characterization)、認證(qualification)和可靠性檢測,其溫度乘載力從-40°C to 125°C,且資料保存可達10年之久。 新思科技IP及原型建造行銷副總裁John Koeter表示:「為了將微控制器整合至類比IC中,記憶體的需求量變得越來越大,因此設計人員需要一套符合成本效益同時兼顧功能的記憶體解決方案。新思科技的DesignWare Medium Density NVM IP提供設計人員對於快閃記憶體之實惠的替代方案,同時還能提供所有必要的功能特色,協助他們以較少的風險,將所要的功能整合至系統單晶片(SoC)中。」