Fairchild符合 AEC-Q101要求的650V SuperFET II MOSFET 產品系列由9個裝置組成，有各種封裝選項可選，達業界較低的 41 mOhm RDS(on) ，可幫助客戶降低開關與傳導損耗。

650V SuperFET® II MOSFET 產品系列電阻率低且開關性能卓越，因此具有較高的產品效率，尤其適用於混合動力與插電式電動汽車。新產品系列使用最新的超接面技術，滿足小尺寸與更高的效率，與此同時，其強健的內置二極體可在高 dv/dt 條件下提高橋接電路可靠性。

此外，650V SuperFET II MOSFET 產品系列的二極體使得製造商可在較低的電磁干擾 (EMI) 下實現卓越的開關性能。 這一點非常重要，因為混合動力與插電式電動汽車具有「惡劣的」EMI 環境，盡可能少地加入額外 EMI 是改善整體系統可靠性的一大優勢。
 
整流器高達 1000V，覆蓋汽車電力市場範圍

與 650V SuperFET II MOSFET 相輔相成的是 Fairchild 汽車高壓整流器產品系列，具有卓越的性能與汽車等級的可靠性。此產品系列符合行業的 AEC-Q101 規範且有各種額定電壓與電流可供選擇，使其成為插電式混合動力與電動汽車車載充電器的理想之選，也成為固定充電器與其他高壓動力總成應用的理想之選。

此產品系列目前被分為三個技術平台 —— Ultrafast、Hyperfast 與 STEALTHTM —— 考慮到開關損耗與傳導損耗間的權衡而設計。

Ultrafast 具有最低的 VF(正向電壓)，適用於低開關頻率應用與不具備嚴格 EMI 要求的應用。Hyperfast 裝置具有較低的關斷時間，適用於較快的開關應用，如車載充電器的 PFC 階段與次級整流階段。

Stealth 整流器比 Hyperfast 快，提供軟恢復以減少噪音與振鈴效應，VF相對較高(與 Ultrafast 相比)且反向恢復電荷 Qrr 較高 (與 Hyperfast 相比)。 亦適用於具備 EMI 要求的高開關頻率應用，如 PFC。

Fairchild 的九種新高壓整流器可提供 600V 與 1000V 擊穿電壓、15A 至 80A 正向電流與多個封裝選擇，包括 TO247、TO220 與晶粒(Die)銷售(wafer、Tape &Reel and Known Good Die)。隨著這些新擴展，Fairchild 符合汽車要求的整流器產品組合已達到 22 種產品。Fairchild 亦可自訂這些裝置以滿足製造商的特定需求，例如自訂芯片與擊穿電壓。

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- 新聞稿有效日期，至2015/05/01為止

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