NXH80T120L2Q0PG PIM採用安森美半導體的專屬溝槽第二代場截止技術(FSII)及穩固的超快迅速恢復二極管，配置為1200伏(V)、80 A半橋和600 V、50 A中點鉗位元式T型拓撲結構，達到超過98%的能效。可配置的封裝平台採用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳，為客戶提供高性能和可靠的功率模組方案。

安森美半導體擴展至PIM市場，源自於三十多年的開發汽車點火IGBT和智慧功率模組(IPM)的經驗。NXH80T120L2Q0PG PIM運用安森美半導體豐富的封裝專業知識，接面溫度為175 °C，完全符合最高行業可靠性標準。此外，安森美半導體的模組方案為客戶提供完全一體化的硅和封裝供應鏈，確保高品質和成本效益。

安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：「功率整合模組(PIM)是我們功率願景的關鍵性一環，使我們能擴展至更高功率的工業和汽車市場。這新的、極其穩固的功率模組平台應證我們投入於提供全面的功率分立和模組方案的產品陣容，使客戶能滿足他們的高效能、高功率密度方案的需求。」

封裝和定價
NXH80T120L2Q0PG採用Q0PACK封裝(尺寸65.9 mm x 32.5 mm x 11.75 mm)。每1,000片批量的單價從30.00美元起。

訪問安森美半導體於PCIM的展台-9號展館展台559

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力於推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先於供應基於半導體的方案，提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請參考: http://www.onsemi.com。

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- 新聞稿有效日期，至2015/06/18為止

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