以業界最小型的封裝和非揮發性低功耗記憶體實現更小、更輕薄的穿戴式裝置

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出1 Mb FRAM (鐵電隨機存取記憶體) (註1) 的MB85RS1MT元件，並採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP)製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP(small-outline package)封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI(註2)的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件。

WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。

穿戴式市場是目前備受矚目的焦點，並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點，皆為須持續的即時記錄資料。

一般的非揮發性記憶體技術，如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入100萬次，而富士通的FRAM技術則可將資料完整性大大提高到保證最少10兆次讀/寫次數，因此對於在儲存即時記錄資料特別理想。

為了更加利用FRAM的上述特性，富士通半導體如今為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSO封裝。MB85RS1MT元件已採用業界標準的SOP封裝，然而採用WL-CSP封裝後，其體積僅3.09 × 2.28 × 0.33 mm大小，而封裝面積只有SOP封裝的23%；換言之，即能比SOP封裝的面積減少77% 。此外，其厚度僅0.33 mm，相當於信用卡厚度的一半，而封裝體積更比SOP封裝小了95%。

低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較於一般使用的EEPROM非揮發性記憶體，FRAM寫入資料的速度也比較快，因此可在寫入資料時大幅降低功耗。基於此原因，為了即時記錄而需經常性寫入資料的穿戴式裝置在採用此FRAM後，可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。

採用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件，對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品，並大幅延長電力。富士通半導體以其一貫作風，持續為客戶終端產品提供兼具提升價值和實用性的產品及解決方案。

產品規格
部件編號：MB85RS1MT
記憶體密度 (組態)： 1Mb (128K字元x 8位元)
介面：SPI
運作電壓： 1.8 – 3.6伏特
保證讀/寫週期：10兆次
資料保留：10年 (85度時)
封裝：8針腳WL-CSP與8針腳SOP

詞彙與備註
1. 鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可以保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。
2. 序列周邊介面 (SPI)
SPI 是基板上晶片之間的資料傳輸標準，是一種三線同步的序列介面。
相關連結
富士通半導體網站：http://jp.fujitsu.com/group/fsl/en/
FRAM網站：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/
MB85RS1MT：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/standalone/1m-spi-wlp.html
MB85RS1MT數據資料：http://edevice.fujitsu.com/cgi-bin/document/document_search.cgi?LANG=EN&PARTNO=MB85RS1MT&DOCTYPES=D02,D05

關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員，主要負責富士通半導體在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。主要銷售產品包括：Customized SoC (ASIC)、代工服務、特定應用標準產品（ASSP）、鐵電記憶體、繼電器和GaN（氮化鎵）等，以獨立産品及配套解决方案的形式提供給客戶，並廣泛應用於高效能光通訊網絡設備、終端行動裝置、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電錶、安防等領域。有關詳細公司資訊，請瀏覽http://www.fujitsu.com/tw/products/devices/semiconductor/網站。

- 新聞稿有效日期，至2015/08/08為止

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