推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，正擴展受高度評價的1/3英寸100萬像素(MP)圖像感測器產品陣容，推出以公司首款背照式(BSI)感測器技術的早期樣品用於汽車成像市場。相較當前領先市場用於先進駕駛輔助系統(ADAS)的AR0132AT CMOS 圖像感測器，該創新的新的BSI感測器技術提供好4倍的微光訊噪比，增加40%的可見光靈敏度，和提升超過60%的近紅外線(NIR)性能。安森美半導體汽車和掃描分部副總裁Sandor Barna說：「這新的BSI技術帶給汽車市場的優勢是令人興奮的。基於此技術的最先進的BSI器件，我們是提供早期樣品階段，它具備真正領先業界的微光性能，彰顯我們持續投資於汽車成像技術的承諾。」
首款採用這新技術的產品將是AR0136AT 1/3英寸光學制式CMOS數位圖像感測器，提供1280 x 960的解析度和3.75微米BSI像素(p)。AR0136AT支援線性和高動態範圍(HDR)模式，是一個單晶片HDR方案，在HDR模式下具有120分貝(dB)動態範圍。它的輸出像素率為74.25 MP/秒(最大值)，由此產生的幀率為在960p解析度時的45幀每秒(fps)和在720p解析度時的60幀每秒。它的工作結溫範圍是-40 °C 至125 °C，並完全符合AEC-Q100。工程樣品將於2015年第三季度提供，計劃於2016年初量產。
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