ARM於日前宣佈其Artisan實體層IP系列中之ARMVelocity™ DDR1與DDR2高速動態記憶體介面，支援台積電的90nm製程。ARM Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面為首款通過台積電IP品質測試的可量產90奈米IP方案。 台積電設計服務行銷處副處長吳國雄表示：「我們致力與IP夥伴廠商合作，以便為客戶提供高品質的IP方案，協助他們能在最短的時間內開發出尖端設計。在我們對IP檢驗的嚴苛標準要求下，ARM Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面率先通過了我們的90奈米製程晶片驗證。」
ARM 90奈米Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案，包括多組可編程的訊號終端電阻（on-die termination, ODT）、輸出趨動器阻抗控制功能（output driver impedance control），並配搭所有運用ARM先進動態校正電路，以達高度阻抗精準度的終端功能。上述兩項特點均可改進整體訊號完整性及全部可用的時序，俾使高速系統設計能達到快速的時序收斂。90奈米Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面，提供最佳化解決方案，使個人電腦、網路設備及伺服器等各種需要同步動態隨機存儲器（Synchronous DRAM, SDRAM）的產品，能夠擴充功率與效能。這些可支援DDR1與DDR2的雙倍資料率解決方案，可以達到最快800 Mbps的資料傳輸率，並在SDRAM元件及記憶體控制器之間建置完整的傳輸介面。
ARM實體層IP部門總經理Brent Dichter表示：「ARM致力提供生產高品質，且經市場驗證的IP，以協助客戶成功地設計出符合需求的SoC。通過台積電的IP品質認證，Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案充分證明了ARM Physical IP的品質，並為雙方的客戶帶來一款值得信賴的SoC解決方案。」
供應時程
採用台積電的90奈米製程的ARM Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案，現已開始供應。開發業者可至ARM網站（www.arm.com），免費下載採用台積電90奈米製程的DDR1/2前端解決方案。DDR後端解決方案則可向ARM台灣辦公室洽詢，洽詢專線02-26271681 Alan Wang，或以email至alan.wang@arm.com信箱。
關於ARM（安謀國際科技股份有限公司）
ARM的先進技術為市面上各種先進數位產品的重要核心，其應用領域範圍廣闊，包括無線通訊、網路、消費性娛樂、影像、汽車、安全及儲存等領域。ARM的完整產品線包括16/32位元RISC微處理器、資料引擎、繪圖處理器、數位資料庫、嵌入式記憶體、週邊設備、軟體及開發工具。結合陣容龐大的合作夥伴社群，為客戶提供完整、快速及可信賴的解決方案。如需更多有關ARM的資訊，敬請瀏覽該公司網站http://www.arm.com。
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