IGBT是新一代電能轉換和控制的核心器件，具有輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快、工作頻率高等優點，廣泛應用於新能源汽車、工業變頻、智能電網、風力發電和太陽能等行業。自商業化應用以來，IGBT作為新型功率半導體器件的主型器件，在1~100kHz的頻率應用範圍內佔據重要地位，其電壓範圍為400V~6500V，電流範圍為1A~3600A。

華虹半導體是全球首家提供場截止型（FS, Field Stop）IGBT量產技術的200mm代工廠，2011年就已在200mm生産線上成功量產了1200V非穿通型（NPT, non-punch-through）IGBT；2013年，600V-1200V FS IGBT實現量產，並專注於持續開發更先進的FS IGBT。憑藉不斷的研發創新，公司與多家合作單位陸續推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解决了IGBT的關鍵工藝問題，包括矽片翹曲及背面工藝能力等。未來，將向更高電壓和更大電流等級、新能源汽車領域及超高壓電力電子市場進發，在全球競爭中穩佔一席。

華虹半導體在FS IGBT背面晶圓加工能力上尤為突出，是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業，包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火，背面金屬。經過多年發展，華虹半導體積累了相當豐富的IGBT製造經驗，技術參數可媲美國際領先企業，奠定華虹半導體在IGBT製造企業中的領先地位，同時亦積極推進了IGBT技術國產化進程。

《2016年國務院政府工作報告》明確提出，「大力發展和推廣以電動汽車為主的新能源汽車，加快建設城市停車場和充電設施」。中國政府「十三五」規劃也明確了實施新能源汽車推廣計劃，鼓勵城市公交和出租汽車使用新能源汽車，可見新能源汽車產業未來增長空間巨大。據悉，中國已於2010年成為全球第一大汽車市場，至2020年，中國新能源汽車年產量將達200萬輛，累計產銷量將超過500萬輛。純電動車的核心模塊離不開IGBT，尤其是性能更佳的FS IGBT，電動車充電設施的建設也運用了大量的功率器件模塊，IGBT未來主要的成長驅動力將來自混合動力汽車和純電動汽車。作為電動車動力的核心，馬達逆變器將驅動IGBT模塊飛速發展。華虹半導體在汽車電子方面有著豐富的經驗，建立了零缺陷管理模式，並通過了ISO/TS16949認證和多家客戶的VDA 6.3（德國汽車質量流程審計標準）標準審計，公司客戶的MOSFET和SJNFET（超級結MOSFET）産品也都成功應用到汽車電子領域。華虹半導體擁有出色的FS IGBT全套背面加工能力，在晶圓代工領域具有絕對優勢，為佈局新能源汽車市場做好了充分準備。

「華虹半導體作為全球首家、最大的功率器件200mm晶圓代工廠，可為綠色能源各個環節提供低壓到高壓全電壓解决方案，並可根據客戶需要定制全系列的各種功率器件。同時公司正在加速研發6500V超高壓IGBT技術，戰略目標同樣鎖定在高端工業及能源市場應用，延續其『全球功率器件領導者』的戰略佈局。」華虹半導體執行副總裁范恒先生表示:「華虹半導體將立足製造端，希望藉新能源汽車發展東風，為廣大客戶提供先進可靠的IGBT製造服務，為IGBT芯片國產化做出更多貢獻。」

- 新聞稿有效日期，至2016/08/19為止

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