臺北，2016年11月8日—香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司今日宣佈推出業界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式記憶體)(註1)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體(註2)合作開發之首款ReRAM產品。

MB85AS4MT為SPI介面的ReRAM產品，能在1.65至3.6伏特電壓下運作，並於最高時脈5MHz的讀取操作下僅需0.2mA的平均消耗電流。

此全新產品適用於需要電池供電之穿戴式及醫療裝置，例如助聽器等需要高記憶體密度且低功耗的電子裝置。

截至目前為止，富士通藉由提供具有耐讀寫以及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存取記憶體)，以滿足客戶對遠高於EEPROM以及串列式Flash等傳統非揮發式記憶體的效能需求。

在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線後，富士通如今可進一步擴充產品選項，以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛範圍內作業，還能透過SPI介面支援最高5 MHz的運作時脈，並在讀取時僅需極低的作業電流(5MHz時脈下平均僅消耗0.2mA)。此外，此產品擁有業界非揮發性記憶體最低的讀取功耗。

此全新產品採用209mil 8-pin的SOP(small outline package)，腳位與EEPROM等非揮發性記憶體產品相容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入一個4 Mbit的記憶體，以超越串列介面EEPROM的最高密度。

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式裝置、助聽器等醫療裝置，以及量表與感測器等物聯網裝置。

富士通期盼未來持續提供各種產品與解決方案，以協助客戶提升其應用的價值與便利性。

產品規格
元件料號：MB85AS4MT
記憶體密度(組態)：4 Mbit (512K字元x 8位元)
介面：SPI (Serial peripheral interface)
運作電壓：1.65 – 3.6伏特
低功耗：讀取運作電流0.2mA (於5MHz)
寫入運作電流1.3mA (寫入週期間)
待機電流10µA
休眠電流2µA
保證寫入週期：120萬次
保證讀取週期：無限
寫入週期 (256 位元/頁)：16毫秒 (100%數據倒置)
資料保留：10年 (最高攝氏85度)
封裝：209mil 8-pin SOP

詞彙與備註
1. 可變電阻式記憶體(ReRAM)：
為非揮發性記憶體，藉由電壓脈衝於金屬氧化物薄膜，產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其製程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成，使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優點。松下半導體於2013年即開始量產配備ReRAM的微型電腦。
2. 松下電器半導體：
〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地。網址：http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

相關連結
 富士通電子網站
 4Mbit ReRAM產品網站
 4Mbit ReRAM MB85AS4MT 資料表

關於香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司(FUJITSU ELECTRONICS PACIFIC ASIA LTD, TAIWAN BRANCH)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司為富士通電子事業體系之一員，主要負責富士通電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。主要銷售產品包括：Customized SoC (ASIC)、代工服務、特定應用標準產品(ASSP)、鐵電記憶體、繼電器、GaN(氮化鎵)、MCU和電源功率器件等，以獨立産品及配套解決方案的形式提供給客戶，並廣泛應用於高效能光通訊網絡設備、終端行動裝置、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電錶、安防等領域。有關詳細公司資訊，請瀏覽http://www.fujitsu.com/tw/fep/網站。

- 新聞稿有效日期，至2016/12/09為止

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