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香港, 2017年1月23日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司（「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」，股份代號：1347.HK）今天宣佈，公司已完成第三代Super Junction（「超級結結構」）MOSFET（「SJNFET」）工藝平台的第一階段研發，取得了初步成果，並計劃在2017年上半年逐步推向市場。 華虹半導體是全球領先的功率分立器件200mm代工廠，在功率器件產品穩定量產上擁有逾10年的經驗。公司於2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了獨特的、富有競爭力的溝槽型SJNFET工藝平台，令華虹半導體成為業界首家提供超級結工藝平台的晶圓代工公司。經過多年的深耕發展，公司在Super Junction技術領域積累了豐富的研發和生產經驗，相繼推出了第一代、第二代工藝平台，並緊跟業界超級結產品的發展，持續進行平台的創新升級。 華虹半導體最新研發的第三代SJNFET技術平台不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點，而且還開發出了溝槽柵的新型結構，相比前兩代的平面柵結構，可以更有效地降低結電阻，且進一步縮小了元胞（「cell pitch」）面積。導通電阻與第二代工藝相比，更是下降了30%以上，以600V器件為例，單位面積導通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2，達到業界一流水準。第三代SJNFET工藝平台將為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。 功率半導體是開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車和智能電網等電源系統的核心器件，也是降低功耗、提高效率的關鍵。在人們對高效節能越來越重視的現今，綠色能源技術必將得到更廣泛的應用，功率半導體的需求也將持續提升。Super Junction技術憑藉更低的功耗，高度契合當前熱門的大功率快充電源、LED照明電源需求，其在傳統的PC電源及雲服務器電源也有優異的表現。
華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「通過與客戶在設計優化、系統解決方案及市場滲透方面的攜手努力，我們獨特且具競爭力的超級結MOSFET平台自量產以來出貨量與日俱增，累計超過200,000片晶圓。華虹半導體新一代SJNFET工藝平台的推出，將進一步鞏固公司在功率分立器件領域的領先地位。我們將儘快實現第三代SJNFET工藝平台的商用，以滿足客戶對更具競爭力的高壓功率芯片產品解決方案的需求。」
- 新聞稿有效日期，至2017/02/23為止
聯絡人 ：劉 穎
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