【2017年9月27日，臺北訊】GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體，GF)今日發布適用於新一代無線及物聯網晶片組之 射頻/類比 PDK (22FDX®-rfa) 解決方案，以及適用於 5G、汽車雷達、WiGig、SatComm 及無線行動網路回傳的毫米波 PDK (22FDX®-mmWave) 解決方案。

兩款解決方案皆以GF 22奈米 FD-SOI 平台為基礎，結合了高效能 射頻、毫米波 以及高密度數位特性，能為整合式單晶片系統解決方案提供強大支援。此技術在高電流密度及低電流密度下均能擁有最高的 fT (電流增益截止頻率)和 fmax (最大振盪截止頻率)特性，適合需要尖端效能和電源效率的應用，例如 LTE-A、NB-IOT 和 5G 無線收發器、GPS WiFi，以及 WiGig 複合晶片、多種搭載整合式 eMRAM 的物聯網 與汽車雷達應用。

「由於客戶不斷挑戰智慧連網裝置的功能極限，GF希望透過推出新的 FDX 系列差異化產品，進而突破智慧連網裝置的限制。快速演進的行動及物聯網主流市場需要射頻及類比領域的不斷創新。」GLOBALFOUNDRIES CMOS 業務部門資深副總裁 Gregg Bartlett 說道：「GF的 22FDX-rfa，整合出色的射頻及類比功能，有助於提供具差異化特性的行動及物聯網產品，並能完美平衡功耗、效能及成本。針對新興的毫米波市場，GF的 22FDX-毫米波 提供業界前所未有的效能，造就差異化的相位陣列波束成形，以及其他毫米波系統解決方案，同時具備最低功耗以及最高水準的效能以及整合度。」

GF的 22FDX 射頻 以及毫米波 技術產品經過最佳化處理，能夠整合高效能天線交換器和功率放大器，適合單一系統單晶片 NB IoT 和 5G 毫米波波束成形相位陣列系統等先進連線應用。

22FDX-rfa 做為 FinFET 類技術以外的方案，不僅提供整合前端模組元件的功能，更具備較低熱雜訊特性；其自增益放大效能與 FinFET 技術相當，而與 bulk CMOS 相比，則具有高達至少兩倍的自增益效能。與 FinFET 技術相比，FD-SOI 技術基礎的固有特性能進一步減少將近三成的浸潤式微影層，卻能取得更為優異的 射頻 效能。

現已提供進階射頻 及類比、毫米波以及嵌入式非揮發式記憶體解決方案的流程設計套件，並能立即提供客戶原型設計。

關於 GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES 是世界第一間真正擁有全球性生產技術經驗，且能提供全方位服務的半導體代工廠。自 2009 年 3 月成立後，迅速發展為全球規模最大的代工廠之一，隨著公司在新加坡、德國及美國的營運，GLOBALFOUNDRIES 為一跨越三大洲為製造中心提供彈性與安全性的代工廠。該公司三座 300mm 晶圓廠與五座 200mm 晶圓廠，提供從主流到頂尖的全方位製程技術。分佈於美國、歐洲及亞洲的半導體中心一流的研發與設計設備為公司提供製程支援。 GLOBALFOUNDRIES隸屬於布達比國營投資機構穆巴達拉發展公司(Mubadala Development Company)。詳細資訊請瀏覽：https://www.globalfoundries.com/cn。

- 新聞稿有效日期，至2017/10/28為止

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