20年來，富士通量產各種FRAM非揮發性記憶體產品，具備高速寫入運行、極高的讀/寫耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，FRAM產品保證10兆次的讀/寫週期，大約是競爭對手的非揮發性記憶體EEPROM的1千萬倍。因此許多需要頻繁覆寫資料的工業應用，像即時資料記錄與3D位置資料記錄等，都採用富士通的FRAM產品。

富士通電子今日推出新款64-Kbit FRAM產品MB85RS64TU，其運行溫度最低達到攝氏零下55度，進一步延伸現有產品零下40度的低溫極限。新款產品的開發目標，是為滿足客戶對於工業機具搭載的記憶體必須能在極酷寒的環境下運作之需求。
MB85RS64TU的運作電源電壓範圍從1.8伏特到3.6伏特，連結SPI介面的最高頻率為10MHz，而運行溫度範圍從攝氏零下55度到攝氏85度。

FRAM產品已推出業界標準的8-Pin SOP封裝，使其能輕易取代8-Pin SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺吋的8-Pin SON封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%。

去年，富士通電子發表能在攝氏125度環境中運作的FRAM產品，擴展運行溫度的高溫極限；此次開發出的零下55度產品，則擴展運行溫度的低溫極限。

富士通電子致力於開發最適合所有客戶應用的記憶體產品，為此我們將持續提供產品與解決方案，協助客戶的各種應用發揮更好的價值與便利性。

產品規格
• 元件料號：MB85RS64TU
• 密度 (組態)：64Kbit (8K x 8 位元)
• 介面：SPI (Serial peripheral interface)
• 運作頻率：最高10MHz
• 運作電壓：1.8 - 3.6伏特
• 運作溫度範圍：攝氏零下55度 - 攝氏85度
• 讀/寫耐用度：10 兆次 (1013 次)
• 封裝規格：8-Pin SOP與8-Pin SON

詞彙與備註
註一：鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

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- 新聞稿有效日期，至2018/07/14為止

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