碳化矽（SiC）技術提供比矽元件更佳的開關性能及更高的可靠性。碳化矽（SiC）二極管沒有反向回復電流，而開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾（EMI），減小的系統尺寸和降低的成本使碳化矽（SiC）成為越來越多高性能汽車應用的極佳選擇。

安森美半導體新的碳化矽（SiC）二極管採用流行的表面黏著和通孔封裝，包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特（V）第一代元件和FFSHx065 650 V 第二代元件提供零反向回復、低正向電壓、與溫度無關的電流穩定性、極低漏電流、高突波容量和正溫度係數。它們提供更高的能效，而更快的回復則提高開關速度，進而縮小所需的磁性組件尺寸。

為了滿足堅固性要求，並在汽車應用惡劣的電氣環境中可靠地運作，二極管的設計能夠承受大的突波電流。它們還包含一種提高可靠性和增強穩定性的獨特專利終端結構。運作溫度範圍為-55℃至175℃。

安森美半導體資深總監Fabio Necco表示：「安森美半導體推出符合AEC車規的元件，擴展了肖特基二極管系列，為汽車應用帶來碳化矽（SiC）技術的顯著優勢，使客戶能夠達到此產業對性能的嚴苛要求。碳化矽（SiC）技術非常適用於汽車環境，提供更高的能效、更快的開關、更好的熱性能和更高的堅固性。在講究節省空間和重量的領域，SiC的高功率密度有助於減少整體方案的尺寸，以及較小型磁性組件所帶來的相關優勢，都受客戶歡迎。」

安森美半導體將在PCIM期間展示這些新的元件以及公司在寬能帶隙（WBG）、汽車、電動機控制、USB-C供電及LED照明等領域的解決方案與用於工業預測性維護應用的智慧被動感測器（Smart Passive Sensors）。

安森美半導體還將展示領先產業的進階仿真程式（SPICE）模型，該模型易於受到程序參數和電路佈置擾動的影響，因此對於當前產業建模能力是一大進步。使用該工具，電路設計人員可提早在仿真過程評估技術，無需再經過昂貴且耗時的製造迭代。安森美半導體堅固的SPICE預測模型的另一個好處是它可連接到多種產業標準的仿真平台。

欲瞭解關於安森美半導體在PCIM的更多資訊，請參閱www.onsemi.com/pcim 。

更多資源和文件：

• 碳化矽二極管登入頁面
• 碳化矽仿真模型
• 寬能帶隙展示影片

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關於安森美半導體
安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）致力於推動高效能電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商，提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片（SoC）及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫，在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱：http://www.onsemi.com。
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- 新聞稿有效日期，至2018/07/22為止

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