收購最佳化成本結構、增加產能，並有利於兩家公司的未來增長
交易主要亮點：
 技術團隊具有豐富的300 mm製造和開發經驗
 與300 mm營運合作夥伴確定多年過渡期，實現壯大產能
 獲大量金氧半場效電晶體（MOSFET）和絕緣柵雙極電晶體（IGBT）交鑰匙產能及先進CMOS能力的路徑

【2019年4月23日】安森美半導體公司（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）和格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣佈，安森美半導體對於收購格羅方德位於紐約東菲什基爾（East Fishkill, New York）的300 mm晶圓廠已達成最終協議。此次收購總價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協議時完成支付，其餘3.3億美元將在2022年年底支付，之後，安森美半導體將獲得該晶圓廠的全面營運控制權，該廠的員工將轉為安森美半導體的員工。而此交易的完成取決於監管機構的批准及其它成交慣例條件。

該協議將使安森美半導體未來幾年增加在東菲斯基爾晶圓廠300 mm的產量，並使格羅方德將其眾多技術轉移至另外三座同規模的300 mm工廠。根據協議條款，格羅方德將在2022年年底前為安森美半導體生產300 mm晶圓。預計將於2020年開始為安森美半導體製造首批300 mm晶圓。

該協議還包括一項技術轉移和開發協議以及一項技術授權協議。這為安森美半導體帶來世界一流、經驗豐富的300 mm製造和開發團隊，使公司晶圓工藝從200 mm轉至300 mm。同時，安森美半導體將立即獲得先進的CMOS能力，包括45 nm和65 nm技術節點。這些工藝將為安森美半導體未來的技術開發奠定基礎。

安森美半導體總裁暨執行長傑克信（Keith Jackson）表示：「我們歡迎格羅方德Fab10團隊加入安森美半導體團隊。收購300 mm東菲什基爾晶圓廠是我們邁向電源和模擬半導體領導地位的又一大步。本次收購將使公司未來幾年增加更多的產能，以支援我們電源和模擬產品的增長，遞增生產效率，並加快實現我們的目標財務模型的進程。我對這次收購為兩家公司的客戶、股東和員工帶來的機會感到非常興奮，並期待在今後幾年與格羅方德合作成功。」

格羅方德執行長 Tom Caulfield表示：「安森美半導體是格羅方德理想的合作夥伴，這項協議是我們將格羅方德打造成世界領先的專業晶圓代工廠的變革一步。本次合作使格羅方德能夠進一步最佳化在全球的資產，並加強投資於促進增長的差異化技術，同時確保Fab 10製造工廠和員工的長期發展。」

帝國州開發公司（Empire State Development）總裁暨執行長 Howard Zemsky表示：「我們很高興能幫助安森美半導體在美國哈德遜中部（Mid-Hudson）地區的擴張，這將保持紐約州的高收入製造業工作，並配合該公司未來的增長和發展計劃。」

- 新聞稿有效日期，至2019/06/10為止

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