格羅方德在FDX™平台上的進階嵌入式非揮發性記憶體,為低功耗、非揮發性代碼和數據儲存應用,提供了經濟有效的解決方案。 【2020年3月2日,台北訊】格羅方德(GLOBALFOUNDRIES®)於上個月27日宣布,其22nm FD-SOI(22FDX®)平台上的嵌入式磁隨機存取記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作,計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑,證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。 格羅方德的eMRAM,讓設計師能夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構,以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢,並作為大容量嵌入式NOR快閃記憶體的替代方案。 格羅方德的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM),已通過五項嚴格的實際迴焊測試,在-40°C到125°C的溫度測試範圍,展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100質量等級2之驗證標準。該解決方案的開發正在進行中,期望可以在明年通過符合AEC-Q100質量等級1解決方案之驗證標準。
格羅方德汽車與工業多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示:「格羅方德致力於透過穩定、功能多元的解決方案讓FDX平台與眾不同,進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發創新產品。格羅方德的差異化eMRAM,部署在業界最先進的FDX平台上,為易於整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。」 格羅方德與設計合作夥伴今起提供客製化設計套件,其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。 eMRAM是一項可擴充的功能,預計將在FinFET和未來的FDX平台上應用,是公司部份進階eNVM的規劃。格羅方德位於德國德勒斯登Fab1的最先進12吋晶圓生產線,將會採用MRAM來支援22FDX的批量生產。 欲瞭解更多關於格羅方德22FDX和MRAM的相關功能,請聯繫知路國際顧問,或瀏覽官網:globalfoundries.com。 ### 關於格羅方德 格羅方德是全球領先的特殊工藝半導體代工廠,提供差異化、功能豐富的解決方案,賦能我們的客戶為高增長的市場領域開發創新產品。格羅方德擁有廣泛的工藝平台及特性,並提供獨特的融合設計、開發和生產為一體的服務。格羅方德擁有遍佈美洲、亞洲和歐洲的規模生產足跡,以其靈活性與應變力滿足全球客戶的動態需求。格羅方德為阿布達比穆巴達拉投資公司(Mubadala Investment Company)所有。欲瞭解更多資訊,請瀏覽 https://www.globalfoundries.com/cn。
- 新聞稿有效日期,至2020/04/01為止
聯絡人 :許景婷 聯絡電話:02 2777 5786*122 電子郵件:ahsu@bmags.com
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