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產業動態 安森美半導體推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET
盛思公關 本新聞稿發佈於2020/03/11,由發布之企業承擔內容之立場與責任,與本站無關

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化矽(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si) MOSFET根本無法實現的。

 
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新的SiC MOSFET元件實現更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作


【2020年3月11日】—推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化矽(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si) MOSFET根本無法實現的。

安森美半導體的新的1200伏(V)和900 V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極體具有低反向恢復電荷,顯著降低損耗,提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作,達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg(低至220 nC),從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效,降低電磁干擾(EMI),並可使用更少(或更小)的被動元件。極強固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命,這對高要求的現代電源應用至關重要。 較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性,減少元件導通時產生的靜態損耗。

1200 V元件的額定電流高達103 A(最大ID),而900 V元件的額定電流高達118 A。對於需要更高電流的應用,安森美半導體的MOSFET可易於並聯運行,因其正溫係數/不受溫度影響。

安森美半導體電源配置部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET元件說:「如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標,他們需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽元件所能提供的,包括更低的損耗、更高的工作溫度、更快的開關速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半導體為進一步支援工程界,還提供廣泛的資源和工具,簡化和加速設計流程。」

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和鹵化物,針對汽車應用的元件都符合AEC-Q100車規和生產件批准程式(PPAP)。 所有元件都採用行業標準的TO-247或D2PAK封裝。

更多資訊及文件:
網頁:寬能隙
影片:寬能隙 (WBG)用於太陽能和可再生能源應用、寬能隙用於混動 /電動(HEV/EV)充電應用

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高效能電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體是基於半導體的解決方案之領導供應商,提供全面性的高效能電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、連線、離散元件、系統單晶片(SoC)及客製化元件。安森美半導體的產品幫助工程師解決在汽車、通訊、運算、消費性電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。安森美半導體擁有敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,及一套嚴謹的審查標準和道德規範計畫,在北美、歐洲和亞太地區的關鍵市場的營運網路更包括製造廠、銷售辦公室和設計中心。欲瞭解更多資訊請參閱:http://www.onsemi.com。
•在 Twitter 上追蹤安森美半導體:www.twitter.com/onsemi
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安森美半導體和安森美半導體圖標是 Semiconductor Components Industries, LLC 的註冊商標。所有本文中出現的其他品牌和產品名稱分別為其相應持有人的註冊商標或商標。雖然公司在本新聞稿提及其網站,但此稿並不包含其網站中有關的資訊。

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- 新聞稿有效日期,至2020/04/11為止


聯絡人 :Monica
聯絡電話:(02)77136610
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