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加州戈利塔, 2020年3月17日 - (亞太商訊) - Transphorm Inc.是一家設計和製造最高可靠性產品的領先公司，其研發了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵（GaN）功率半導體元件。目前，經證實，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已開發出一種基於GaN的超高效功率模塊。3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN器件，效率達到98%，成為迄今為止電信行業效率最高的GaN驅動模塊。原始設計製造商（ODM）可以將提供標準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現有的同功率模塊交換，從而以較低的總體系統成本實現高可靠性、高性能解決方案。 設定行業標杆
ZHR483KS是HZZH首個基於GaN的功率解決方案，也是新產品線的龍頭產品。該模塊的輸入電壓範圍為85伏至264伏，而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。 Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用於交錯無橋圖騰式PFC，以實現98%的半負載效率。 GaN器件降低了功率模塊的開關損耗和驅動損耗，因此ZHR483KS的性能優於以前使用超級結矽MOSFET的模塊。 HZZH首席技術官Guo博士表示：“我們在尋找一種功率晶體管，幫助我們為客戶開發一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化矽器件，但在低電壓條件下無法達到預期優勢。然後，我們審查了幾家GaN製造商的器件，最終鑑於可靠性、器件成本和實現簡單，我們選擇了Transphorm的GaN場效應晶體管（FET）。” Transphorm的GaNFET是一種雙芯片增強型場效應晶體管，可採用標準的TO-XXX封裝和普通現成驅動器驅動的PQFN模塊。當前的Gen III系列提供了GaN半導體行業最高閾值電壓（4V）和最高門穩健性（±20V）。因此，客戶能夠輕鬆地設計出高可靠性的GaN解決方案，以實現該技術的高功率密度優勢。
Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim說：“Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素：可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。HZZH認為，我們的客戶打破市場需要這四個因素，因此選擇我們作為其GaN合作夥伴，於此，我們感到自豪。正是此次合作，我們的GaN被設計成各種不同的多千瓦電力系統，創造了行業記錄。我們預計，隨著我們未來在產品上的繼續合作，HZZH將繼續創新。” ZHR483KS目前正在生產中。 Transphorm, Inc.簡介
Transphorm，Inc.（www.transphormusa.com）是GaN革命的全球領導者，專門設計和製造用於高壓功率轉換應用的最高性能、最高可靠性的高壓GaN半導體。 Transphorm擁有最大的功率GaN IP產品組合之一，生產了業界第一款符合GEDEC和AEC-Q101標準的GaN FET。該公司採用垂直集成的器件業務模式，在每個開發階段進行創新：設計、製造、設備和應用支持。推特： @transphormusa 聯繫人:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com 資料來源: Transphorm, Inc. - 新聞稿有效日期，至2020/04/17為止
聯絡人 ：李理
聯絡電話：+81 3 5781 1821
電子郵件：info@japancorp.net
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