MoSys QUAZAR記憶體達到了成本點，這是之前用同樣的速度及容量的記憶體所無法達成的。 利用其1T記憶體單元以及先進高密度和高速的記憶體架構的設計，成功的拓展其獨特的，多分區的記憶體系列，其中包括帶寬引擎（BE2 / 3和PHE）器件，以及現在的新產品 – QUAZAR器件。 除了IC之外，MoSys還提供了RTL記憶體控制器，該控制器提供了類似於SRAM的接口，從而簡化了設計工作。

主要的產品優勢 :

• 不到類似於QDR記憶體器件成本的一半
• 4-8倍 QDR容量 - 567Mb和1Gb內存選項
• 單個器件取代了多個QDR器件
• 每個器件上有多個獨立的隨機存取SRAM
• tRC : 3.2ns
• 與QDR的性能相當
• 帶寬高達640Gb /秒，字寬高達576b
• 僅需32個引腳即可連接到FPGA-簡化了板子信號路由
• 直接連接到INTEL（Altera）和XILINX 的FPGA
• MoSys提供的FPGA RTL記憶體控制器

QUAZAR 器件 :

• QPR4 IC
• DEEP MODE - 4 SRAMs of 2M x 72b
• WIDE MODE - 8 SRAMS of 1M x72b
• QPR8 IC
• DEEP MODE - 4 SRAMs of 4M x 72b
• WIDE MODE - 8 SRAMSs of 2M x72b

MoSys的首席技術官Michael Miller指出：“當今的記憶體設計被認為是系統級的元素，所包含的內容遠遠超出器件本身。 “ MoSys能夠利用其對內存和數據的全面系統級的認知，為系統架構師和設計人員提供一種極低成本的解決方案，僅用1顆MoSys的器件相當於可以取代4到8顆的QDR記憶體器件。”

MoSys的QPR內存技術具有允許同時並行訪問內存的多個分區的結構。 每個讀取或寫入周期最多允許訪問576位。 高性能接口，更大的密度和多個分區一起工作，以支持帶有一個QPR器件的FPGA中的多個獨立功能區塊。 MoSys MSQ220和MSQ230 QPR器件非常適合於隨機訪問應用。 MoSys還提供了可選擇的FPGA RTL記憶體控制器，以簡化與其大容量567Mb或1Gb器件的接口。

主要的目標應用是以FPGA為主，涵蓋了廣泛的市場，包括測試和測量，5G網絡，路由器，交換，安全性（防火牆，ACL，DDoS，IPS和WAF），計算存儲，數據庫加速，大數據，航太和 國防，高級的視頻，高性能計算，機器學習和人工智能以及其他數據驅動領域。

關於MoSys, Inc.

MoSys is a registered trademarks of MoSys, Inc. in the US and/or other countries. The MoSys logo and GigaChip are trademarks of MoSys, Inc. All other marks mentioned herein are the property of their respective owners.

MoSys，Inc.（NASDAQ：MOSY）專注於加速數據智能，提供矽芯片和IP解決方案，可為包括云網絡，安全性，5G網絡，智慧網卡(SmartNIC)，測試和測量以及視頻系統。 MoSys的QUAZAR高速記憶體系列和BLAZAR加速器系列是具有無與倫比的智能，性能和容量的記憶體集成電路，可消除數據訪問瓶頸，從而在系統中提供速度和智能，包括從100G擴展到每秒多兆 (Multi-terabits) 位元的速度。 MoSys的STELLAR虛擬加速器引擎系列包括軟件，FPGA RTL和基於RISC的韌體，可加快應用程序的運行速度，並可在具有或不具有MoSys矽芯片的各種硬件配置中移植。有關更多信息，請訪問：www.mosys.com。

- 新聞稿有效日期，至2020/11/30為止

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