5G時代的到來，從根本上顛覆了現有的傳統通訊方式，它加速了現實社會與互聯網空間的快速融合，讓人與人、人與機器的交互都步入了一個全新的水平。而發展5G的一重要目標就是在提高訊息傳輸速率、減少延遲的同時，節約能源、降低系統成本。隨著5G訊號大規模覆蓋需求增大，大量5G基站的建設已迫在眉睫，這勢必會為電源市場帶來新的機會。順應此趨勢，大聯大世平基於安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。

安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩壓器，其集成了高邊和低邊功率MOSFET，支援從4.5V到65V的寬電壓範圍，能夠處理的連續電流高達10A。此外，onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領先業界的封裝技術將FAN65008B集成在一個四方扁平無引線（PQFN）封裝中，能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應，使開發人員能夠實現98.5%的峰值能效。這意味著使用FAN65008B比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性（EMI）。除了上述特性，FAN65008B還具有可調過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護等功能，可以保護器件本身和任何下游電路不受損害。

在5G技術發展如此快速的進程中，基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡、快速部署的需求，大聯大世平聯手onsemi推出的5G基站電源方案針對市場痛點進行優化，能夠滿足行業需求，助力5G基站建設快速推進。

核心技術優勢：
 寬輸入電壓範圍：4.5V至65V；
 連續輸出電流：10A；
 具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制；
 0.6V參考電壓，精度為0.67%；
 可調開關頻率：100kHz至1MHz；
 雙LDO用於單電源操作並減少功率損耗；
 用於輕負載的可選CCM PWM模式或PFM模式；
 寬工作範圍的外部補償；
 可調軟啟動和Pre−Bias啟動；
 Enable功能具有可調節的輸入電壓欠壓鎖定（UVLO）；
 Power Good指示；
 過流保護、熱關斷、過壓保護、欠壓保護和短路保護；
 高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝；
 無鉛且符合RoHS標準。

方案規格：
 輸入電壓範圍：30V至60V；
 輸出電流：10A；
 輸出電壓：24V；
 輸出電壓漣波：40mVp-p；
 切換頻率：300kHz。

- 新聞稿有效日期，至2022/09/08為止

上一篇：鴻騰公佈二零二二財年中期利潤反彈963%，不受外部干擾
下一篇：打造企業專屬戰情室，高度客製電視牆