KLA-Tencor 薄膜與散射測量技術處 (Films and Scatterometry Technologies) 副總裁兼總經理 Ahmad Khan 表示：「當各式新型材料與元件結構大量湧現，並且顯著影響元件效能與可靠性時，我們的客戶需要更仔細地瞭解這些關鍵薄膜層的各式物理與化學特性。Aleris 8500 的核心光學技術不僅提供了業界最精確的厚度量測，並且藉由最新開發的成分量測技術，提供先進技術客戶們在閘極 (gate)和其它關鍵層的線上產品量測與製程控制。另外，Aleris 8500 還提供了功能強化的二維應力精密量測，可管理越來越多的高應力層。」

目前，晶片製造商通常購買個別的成分分析設備與傳統光學厚度量測機台，以取得厚度與成分的相關數據。這種不同機台的混搭會導致機台間不相容、產能利用效率搭配困難及生產量測程式無法共用等各種低效率作法。然而，Aleris 平台整合了各種先進關鍵薄膜光學量測與應用，藉此協助晶片製造商有效控制與降低成本，且縮短技術開發及量產化的時間。Aleris 8500 具備比現有分析方法高出 三倍的產能，且其非真空光學技術也克服了傳統分析技術的機台穩定度限制。這些完善的量產優勢讓 Aleris 8500 成為成分控制的最佳持有成本方案。

Aleris 8500 以 KLA-Tencor 領先業界的 SpectraFx 200 技術為基礎，主要採用新一代寬頻光譜橢圓偏光法 (BBSE™，Broadband Spectroscopic Ellipsometry) 光學元件，在量測精密度 (precision)、機台間一致性 (matching) 及穩定性 (stability) 等方面均有顯著改善。此技術讓晶片製造商能夠驗證和控制先進薄膜，包括新型材料、結構與加工晶片。該機台獨特的 150 奈米 BBSE 可為成分量測提供更好的靈敏度，讓 Aleris 8500 成為業界第一款可用於線上產品的閘極量測與製程控制之單一機台解決方案。Aleris 的 StressMapper™ 模組能夠以更快的產能提供更高解析度，可用於高應力薄膜中的二維應力線上控制。

Aleris 8500 目前已出貨給數個重要客戶，正用於 65 奈米閘極生產及 45 奈米/ 32 奈米開發。

Aleris 8500 技術摘要

出類拔萃的效能
先進的 BBSE 光學系統
最新一代的更高解析度光學系統可實現從 150 奈米到 900 奈米寬頻波長光譜範圍內的薄膜量測。所有主要 SE 組件均經過重新設計，可降低光譜失真，並改善機台間的一致性。

KLA-Tencor 使用的專利反射式對焦光學系統可讓光斑大小不受波長範圍影響。這極小的量測光斑，可提升機台間的一致性、量測精準度及穩定性等標準，可適用於更小量測框線之先進技術應用，與更嚴格的製程控制需求。

最佳的反射式量測法選項
紫外線反射儀 (UVR) 的新型設計可提供最佳的訊號雜訊比 (signal-to-noise ratio)，比上一代產品增進十倍以上，改善整體量測效能。

創新應用
成分量測
與上一代產品相比，Aleris 8500 的 150 奈米 BBSE 功能具備提升二倍的可重複性，以及提升四倍的機台一致性，可強化成分量測的靈敏度。這讓 Aleris 8500 成為控制氮化氧矽閘極 (DPN gate) 與高介電值閘極 (High-k gate) 應用中，產品晶圓成分與厚度量測的單一機台方案。

增強對超薄 ONO 的靈敏度
150 奈米 BBSE 實現了 ONO 內高度相關的上層與底層氧化矽的量測。由於夾在兩層氧化矽間的氮化矽變得越來越薄，導致上下兩層氧化矽量測相關度提升，量測難度隨之增加。因氮化矽薄膜在較短的波長下可增加吸收特性，所以使用較短的波長可增加上層和底層氧化矽的對比。

StressMapper 提供先進的應力功能.
StressMapper 利用雷射光量測物面曲翹度，可提供更高的敏感度與解析度，實現真正的二維局部應力量測。強化的可重複性、機台間一致性及高效產能，能夠對具有複雜薄膜堆疊、不連續薄膜或pattern induced應力的產品晶圓，同時進行巨觀與二維應力量測的產品線上監控。此模組實現了前段製程 (FEOL) 低偏差與高應力薄膜的量測應用，例如氮化矽覆蓋膜與植入退火(implant anneal)處理。

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關於 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導體製造及相關產業提供產能管理和製程控制解決方案的全球領先企業。該公司總部設在美國加州的聖荷西市，銷售及服務網遍佈全球。KLA-Tencor 躋身於標準普爾 500 強公司之一，並在那史達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多資訊，請參觀網站 http://www.kla-tencor.com。

- 新聞稿有效日期，至2008/01/06為止

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