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台北，2024年6月12日 — 致力於先進半導體製造的隨機性（stochastics）微影誤差量測與控制解決方案領導業者Fractilia，宣布推出全新FAME™ OPC套件，提供關鍵的光學鄰近校正（OPC）測量與分析功能，能夠提升在先進微影圖案化（patterning）必須使用到的OPC建模技術的精準度並大幅縮短達成結果所需時間。FAME OPC可以用在所有掃描電子顯微鏡（SEM）廠商提供的任何SEM工具、可以插入所有的OPC資料流。可以單獨購買，也可以選購方式安裝到客戶現有Fractilia框架中。 Fractilia FAME與MetroLER™產品結合Fractilia公司專利反向線掃描模型（FILM™）技術與真實運算式量測，是唯一通過認證的晶圓廠解決方案，可以針對所有主要的隨機效應提供高度精確且準確的測量值，而這也是先進節點最大的單一微影圖案化誤差來源。Fractilia目前與領先業界的晶片生廠商合作，並利用其全新FAME OPC產品測量與分析廠商的OPC資料，展現優異之成效。 臨界尺寸的測量值已不敷OPC模型驗證需求
OPC是半導體製造中重要的微影圖案化增強技術，使用光罩上的微小邊緣偏差與次解析度輔助功能（SRAF）來提升晶圓上所需晶片圖案的可印製性。每個OPC模型會使用多達數萬個稱為量規（gauge）的量測點圖形進行校正，這些圖形倘若沒有精確且準確的測量，會對製程容錯範圍與良率帶來負面的衝擊。晶片製造商為了校正OPC模型，會從測試光罩印製晶圓，然後測量量規印製情況與設計之間的差異。在過去，客戶只能測量臨界尺寸（CD）然後把這些測量值加入OPC模型，以便進行模型的校正。 然而，隨著晶片圖形的尺寸持續縮小，隨機變異性也跟著極紫外光（EUV）微影圖案化技術的採用與日俱增，CD測量值對於OPC模型的校正與驗證已經不敷使用。線邊粗糙度/線寬粗糙度（LER/LWR）、局部邊緣圖案置放誤差（LEPE）、局部線寬均勻度（LCDU）與CD測量值都必需列入考量。隨著業界將邁向2奈米或更先進節點上高數值孔徑的EUV（0.55 NA EUV）微影，隨機變異性的風險預計只會越來越高。
Fractilia執行長暨總裁Edward Charrier表示：「多年來，領先業界的晶片製造商持續使用我們的MetroLER產品來支援他們的OPC模型的開發與驗證。這雖然提供他們改善OPC模型所需的必要資訊，但使用者還是需要以手動方式執行設定、測量與分析，而這些程序可能需要花上數天才能完成。Fractilia根據客戶的要求開發了FAME OPC，可以讓OPC測量與分析過程完全自動化。這讓我們的客戶得以在短至一小時內，就可以測量CD與其它的尺寸相關測量值。從數千個不同的量規測量，為每個量規提供數百種隨機測量值，大幅提升他們OPC模型的精準度並縮短達成結果所需時間。 「無偏差」的測量值針對晶圓實際情況提供更精準的描述
Fractilia FAME解決方案組合使用專有且獨特的物理架構SEM建模與資料分析方式，可測量並減去來自SEM影像的隨機與系統化誤差，以提供實際晶圓上、而非影像上的測量值。FAME可以同時測量所有主要的隨機效應，包括LER、LWR、 LCDU、LEPE以及隨機缺陷，並提供CD與其它尺寸相關測量值。它可以提供業界最高訊噪比的邊緣偵測（與其它解決方案相比訊噪比最高高出5倍），並可從每張SEM影像擷取超過30倍的額外資料。FAME可以使用在來自所有SEM廠商的SEM機台的SEM影像。 Fractilia藉由FAME OPC把高度精確的測量與分析能力帶進OPC建模。使用者首先建立包含所有測量到的量規的「總試算表」，然後把所有的SEM影像與諸如GDS/OASIS檔案的設計圖案，一併提交給FAME OPC。FAME OPC會自動校正CD測量值、產出每個Fractilia recipe檔案、為每個量規測量適當的SEM圖形，然後結合精準的測量值加速分析。由於整個過程完全自動化，FAME OPC顯著降低工程方面的工作負載，並大幅度地縮短確定優化OPC處置所需的時間。 Fractilia的產品已經獲得整個產業的數十家企業採用，包括領先的半導體製造商、設備公司、材料供應商與研究單位。可提供更佳的微影、蝕刻與SEM工具匹配、製程產出量、整體設備效率、製程容錯範圍的優化、更低的擁有成本與設備支出，都是客戶使用Fractilia的FAME與MetroLER產品可望達成的主要效益。 更多相關資訊
敬請至Fractilia官方網站：https://www.fractilia.com/opc/取得更多有關FAME OPC的資訊。您也可以點擊Fractilia學院網址：https://www.fractilia.com/public-academy/，取得技術概述以及介紹Fractilia測量與控制隨機性誤差解決方案的最新會議與技術文件。 關於Fractilia
Fractilia是先進半導體製造中隨機性（stochastic）誤差量測與控制解決方案的領導業者，Fractilia應用Fractilia反向線掃描模型（Fractilia Inverse Linescan Model；FILM™）的專利技術，提供高精準度的隨機性誤差量測。隨機性誤差是先進製程上最大的微影圖案（patterning）錯誤來源，客戶可以透過FAME™提升元件的良率、效能，以及先進曝光機、蝕刻機的生產力。Fractilia的產品為整個半導體製造產業提供微影及蝕刻製程最佳化的解決方案，且已經被前五大晶片製造商中的四家業者所採用。Fractilia的解決方案包括：製程開發與工程分析使用的MetroLER™，及提供晶圓廠提升良率與生產應用的Fractilia自動化量測平台（Fractilia Automated Measurement Environment；FAME™）。Fractilia總部位於美國德州奧斯汀，且握有涵蓋FILM™與相關技術的多項專利與數百項商業機密。更多相關資訊，請瀏覽：www.fractilia.com。
- 新聞稿有效日期，至2024/07/14為止
聯絡人 ：黎淑玲
聯絡電話：7743-9148
電子郵件：janniesl.lai@eraogilvy.com
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